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一种制作半导体激光器热沉的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN103887703B, 申请日期: 2017-01-04, 公开日期: 2017-01-04
发明人:  李刚;  张松;  崔碧峰;  徐旭红;  赵瑞;  计伟
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一种具有光栅结构的边发射半导体激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102545052B, 申请日期: 2014-11-26, 公开日期: 2014-11-26
发明人:  崔碧峰;  计伟;  陈京湘;  郭伟玲;  张松;  王晓玲
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一种新型半导体激光器腔面镀膜夹具 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN203747237U, 申请日期: 2014-07-30, 公开日期: 2014-07-30
发明人:  徐旭红;  陈京湘;  崔碧峰;  计伟;  王晓玲;  张松;  赵瑞
Adobe PDF(1022Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2019/12/26
一种用于半导体激光器p面向下封装的热沉及其制作方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103887704A, 申请日期: 2014-06-25, 公开日期: 2014-06-25
发明人:  李刚;  张松;  崔碧峰;  徐旭红;  赵瑞;  计伟
Adobe PDF(435Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：90/1  |  提交时间：2019/12/31
一种具有新型腔面非注入区窗口结构的半导体激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103401140A, 申请日期: 2013-11-20, 公开日期: 2013-11-20
发明人:  崔碧峰;  张松;  计伟;  陈京湘;  王晓玲;  苏道军
Adobe PDF(521Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：95/0  |  提交时间：2020/01/18
一种改进压焊结构的半导体激光器 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN203150900U, 申请日期: 2013-08-21, 公开日期: 2013-08-21
发明人:  崔碧峰;  计伟;  陈京湘;  郭伟玲;  张松;  王晓玲
Adobe PDF(297Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/26
一种改进压焊结构的半导体激光器 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN203150900U, 申请日期: 2013-08-21, 公开日期: 2013-08-21
发明人:  崔碧峰;  计伟;  陈京湘;  郭伟玲;  张松;  王晓玲
Adobe PDF(297Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/12/26
一种改善有源区光场分布的边发射半导体激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102593719A, 申请日期: 2012-07-18, 公开日期: 2012-07-18
发明人:  崔碧峰;  计伟;  陈京湘;  郭伟玲;  张松;  王晓玲
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Experimental study on the imaging of the squeezed state light at 1064 nm 期刊论文
LASER PHYSICS, 2011, 卷号: 21, 期号: 7, 页码: 1202-1207
作者:  Chen, L.;  Bi, S. W.;  Lu, B. Z.
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Theoretical study and experimental scheme for the generation of a 1064-nm continuous variable entangled light source with quasi-phase-matching PPKTP crystal 期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT, 2011, 卷号: 637, 页码: S153-S157
作者:  Liu, W. Y.;  Bi, S. W.
Adobe PDF(468Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：378/1  |  提交时间：2011/07/08
Experimental Scheme  Continuous Variable Entanglement Light Source  Quasi-phase-matching Ppktp Crystal  Optical Parametric Down-conversion Process