Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种改进压焊结构的半导体激光器 | |
| 其他题名 | 一种改进压焊结构的半导体激光器 |
| 崔碧峰; 计伟; 陈京湘; 郭伟玲; 张松; 王晓玲 | |
| 2013-08-21 | |
| 专利权人 | 北京工业大学 |
| 公开日期 | 2013-08-21 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 摘要 | 一种改进压焊结构的半导体激光器，属于半导体光电子技术领域。包括衬底、N型限制层、N型波导层、多量子阱有源区、P型波导层、P型限制层、P型欧姆接触层构成的外延片结构；且利用湿法腐蚀将外延片两侧腐蚀P型欧姆接触层到P型限制层，深度范围为：400nm-600nm，从而形成脊形台，在半导体激光器芯片背面脊形台两侧对应的的位置腐蚀出压焊点。本实用新型提供的压焊方法接触面积大，不损伤表面，压焊方便。 |
| 其他摘要 | 一种改进压焊结构的半导体激光器，属于半导体光电子技术领域。包括衬底、N型限制层、N型波导层、多量子阱有源区、P型波导层、P型限制层、P型欧姆接触层构成的外延片结构；且利用湿法腐蚀将外延片两侧腐蚀P型欧姆接触层到P型限制层，深度范围为：400nm-600nm，从而形成脊形台，在半导体激光器芯片背面脊形台两侧对应的的位置腐蚀出压焊点。本实用新型提供的压焊方法接触面积大，不损伤表面，压焊方便。 |
| 申请日期 | 2012-12-24 |
| 专利号 | CN203150900U |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201220721626.8 |
| 公开（公告）号 | CN203150900U |
| IPC 分类号 | H01S5/02 |
| 专利代理人 | 刘萍 |
| 代理机构 | 北京思海天达知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50516 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京工业大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 崔碧峰,计伟,陈京湘,等. 一种改进压焊结构的半导体激光器. CN203150900U[P]. 2013-08-21. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN203150900U.PDF（297KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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