一种用于半导体激光器p面向下封装的热沉及其制作方法

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	一种用于半导体激光器p面向下封装的热沉及其制作方法
其他题名	一种用于半导体激光器p面向下封装的热沉及其制作方法
	李刚; 张松; 崔碧峰; 徐旭红; 赵瑞; 计伟
	2014-06-25
专利权人	北京牡丹电子集团有限责任公司
公开日期	2014-06-25
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种用于半导体激光器p面向下封装的热沉，包括基体材料层以及分别生长在基体材料层上下表面的上金属层和下金属层，所述上金属层由绝缘隔离层分离成各自独立的第一正极电极、第二正极电极和负极电极，且所述第一正极电极用于给半导体激光器的脊形波导区提供工作时所需的电信号，所述第二正极电极用于给半导体激光器的锥形增益区提供工作时所需的电信号，所述负极电极连接半导体激光器的n面电极。本发明易实现带p电极分离结构的半导体激光器的p面向下封装，在使分离的p电极能独立注入电信号的同时，增强了半导体激光器的散热能力，延长了半导体激光器的寿命，还使器件易于与系统集成。
其他摘要	本发明涉及一种用于半导体激光器p面向下封装的热沉，包括基体材料层以及分别生长在基体材料层上下表面的上金属层和下金属层，所述上金属层由绝缘隔离层分离成各自独立的第一正极电极、第二正极电极和负极电极，且所述第一正极电极用于给半导体激光器的脊形波导区提供工作时所需的电信号，所述第二正极电极用于给半导体激光器的锥形增益区提供工作时所需的电信号，所述负极电极连接半导体激光器的n面电极。本发明易实现带p电极分离结构的半导体激光器的p面向下封装，在使分离的p电极能独立注入电信号的同时，增强了半导体激光器的散热能力，延长了半导体激光器的寿命，还使器件易于与系统集成。
主权项	一种用于半导体激光器p面向下封装的热沉，其特征在于，包括基体材料层（1）以及分别生长在基体材料层（1）上下表面的上金属层（2）和下金属层（3），所述上金属层（2）由绝缘隔离层分离成各自独立的第一正极电极（4）、第二正极电极（5）和负极电极（6），且所述第一正极电极（4）用于给半导体激光器（7）的脊形波导区提供工作时所需的电信号，所述第二正极电极（5）用于给半导体激光器（7）的锥形增益区提供工作时所需的电信号，所述负极电极（6）连接半导体激光器（7）的n面电极。
申请日期	2014-03-27
专利号	CN103887704A
专利状态	授权
申请号	CN201410119889.5
公开（公告）号	CN103887704A
IPC 分类号	H01S5/024 \| H01S5/042
专利代理人	杨立
代理机构	北京轻创知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66300
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京牡丹电子集团有限责任公司
推荐引用方式 GB/T 7714	李刚,张松,崔碧峰,等. 一种用于半导体激光器p面向下封装的热沉及其制作方法. CN103887704A[P]. 2014-06-25.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103887704A.PDF（435KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文