一种制作半导体激光器热沉的方法

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	一种制作半导体激光器热沉的方法
其他题名	一种制作半导体激光器热沉的方法
	李刚; 张松; 崔碧峰; 徐旭红; 赵瑞; 计伟
	2017-01-04
专利权人	北京牡丹电子集团有限责任公司
公开日期	2017-01-04
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明涉及一种带石墨烯层的半导体激光器热沉，包括从下至上依次沉积的基体材料层、无氧铜层和石墨烯层，所述基体材料层采用的材料是氮化铝陶瓷、氧化铝陶瓷、氧化锆陶瓷、氮化硅陶瓷、碳化硅或氮化硼中的任意一种。本发明还对应给出了制作所述热沉的方法。本发明采用石墨烯层作为热沉的散热材料，充分利用石墨烯热导率高的物理特性，将半导体激光器工作时产生的热量传导出来并发散掉，能够在不增加半导体激光器重量、体积的情况下，大幅提高半导体激光器的散热能力，降低半导体激光器工作时的温度，保证半导体激光器的光电性能和可靠性，延长半导体激光器的寿命。
其他摘要	本发明涉及一种带石墨烯层的半导体激光器热沉，包括从下至上依次沉积的基体材料层、无氧铜层和石墨烯层，所述基体材料层采用的材料是氮化铝陶瓷、氧化铝陶瓷、氧化锆陶瓷、氮化硅陶瓷、碳化硅或氮化硼中的任意一种。本发明还对应给出了制作所述热沉的方法。本发明采用石墨烯层作为热沉的散热材料，充分利用石墨烯热导率高的物理特性，将半导体激光器工作时产生的热量传导出来并发散掉，能够在不增加半导体激光器重量、体积的情况下，大幅提高半导体激光器的散热能力，降低半导体激光器工作时的温度，保证半导体激光器的光电性能和可靠性，延长半导体激光器的寿命。
申请日期	2014-03-27
专利号	CN103887703B
专利状态	授权
申请号	CN201410119425.4
公开（公告）号	CN103887703B
IPC 分类号	H01S5/024 \| H01S5/02
专利代理人	杨立
代理机构	北京轻创知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48568
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京牡丹电子集团有限责任公司
推荐引用方式 GB/T 7714	李刚,张松,崔碧峰,等. 一种制作半导体激光器热沉的方法. CN103887703B[P]. 2017-01-04.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103887703B.PDF（80KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文