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半导体激光装置、半导体激光模块以及焊接用激光源系统 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN110402524A, 申请日期: 2019-11-01, 公开日期: 2019-11-01
发明人:  池户教夫;  中谷东吾;  冈口贵大;  横山毅;  薮下智仁;  高山彻
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半导体激光装置、半导体激光模块及熔接用激光光源系统 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109417274A, 申请日期: 2019-03-01, 公开日期: 2019-03-01
发明人:  池户教夫;  中谷东吾;  冈口贵大;  横山毅;  薮下智仁;  高山彻
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半导体激光器装置、半导体激光器模块及焊接用激光器光源系统 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109417276A, 申请日期: 2019-03-01, 公开日期: 2019-03-01
发明人:  中谷东吾;  冈口贵大;  池户教夫;  横山毅;  薮下智仁;  高山彻;  高须贺祥一
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氮化物类发光元件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109075530A, 申请日期: 2018-12-21, 公开日期: 2018-12-21
发明人:  高山彻;  中谷东吾;  狩野隆司;  左文字克哉
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发光元件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107615602A, 申请日期: 2018-01-19, 公开日期: 2018-01-19
发明人:  高山彻
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半导体发光元件 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN104737393B, 申请日期: 2017-08-04, 公开日期: 2017-08-04
发明人:  高山彻
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半导体发光元件 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN104247176B, 申请日期: 2017-03-08, 公开日期: 2017-03-08
发明人:  高山彻
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半导体激光器装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101599617B, 申请日期: 2012-11-21, 公开日期: 2012-11-21
发明人:  高山彻;  早川功一;  佐藤智也;  佐佐木正隼;  木户口勋
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具有减少相分离、利用第三族氮化物四元金属体系的光发射装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1345474B, 申请日期: 2012-11-14, 公开日期: 2012-11-14
发明人:  高山彻;  马场孝明;  詹姆斯S.哈里斯,Jr.
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半导体激光装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101483318B, 申请日期: 2011-11-23, 公开日期: 2011-11-23
发明人:  藤本康弘;  中谷东吾;  高山彻;  木户口勋
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