半导体激光装置、半导体激光模块以及焊接用激光源系统

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	半导体激光装置、半导体激光模块以及焊接用激光源系统
其他题名	半导体激光装置、半导体激光模块以及焊接用激光源系统
	池户教夫; 中谷东吾; 冈口贵大; 横山毅; 薮下智仁; 高山彻
	2019-11-01
专利权人	松下知识产权经营株式会社
公开日期	2019-11-01
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	半导体激光装置(1)在基板(101)的主面的上方，具备第1导电侧半导体层(100)、活性层(300)以及第2导电侧半导体层(200)被依次层叠的层叠构造体，以多模式进行激光振荡，第2导电侧半导体层(200)具有电流阻挡层(240)，所述电流阻挡层(240)具有用于对电流注入区域进行划定的开口部(241)，在层叠构造体中的从第1导电侧半导体层(100)的一部分到第2导电侧半导体层(200)的部分形成一对侧面(105)，活性层(300)具有比开口部(241)的第1宽度宽的第2宽度，第1导电侧半导体层(100)的至少一部分中的一对侧面(105)相对于基板(101)的主面倾斜，对于在层叠构造体中导波的光，基板(101)的主面的法线方向上的光分布的最大强度位置处于第1导电侧半导体层(100)内。
其他摘要	半导体激光装置(1)在基板(101)的主面的上方，具备第1导电侧半导体层(100)、活性层(300)以及第2导电侧半导体层(200)被依次层叠的层叠构造体，以多模式进行激光振荡，第2导电侧半导体层(200)具有电流阻挡层(240)，所述电流阻挡层(240)具有用于对电流注入区域进行划定的开口部(241)，在层叠构造体中的从第1导电侧半导体层(100)的一部分到第2导电侧半导体层(200)的部分形成一对侧面(105)，活性层(300)具有比开口部(241)的第1宽度宽的第2宽度，第1导电侧半导体层(100)的至少一部分中的一对侧面(105)相对于基板(101)的主面倾斜，对于在层叠构造体中导波的光，基板(101)的主面的法线方向上的光分布的最大强度位置处于第1导电侧半导体层(100)内。
主权项	一种半导体激光装置，在基板的主面的上方，具备第1导电侧半导体层、活性层以及第2导电侧半导体层被依次层叠的层叠构造体，以多模式进行激光振荡，所述第2导电侧半导体层具有电流阻挡层，所述电流阻挡层具有用于划定电流注入区域的开口部，在所述层叠构造体中的从所述第1导电侧半导体层的一部分到所述第2导电侧半导体层的部分形成一对侧面，所述活性层具有比所述开口部的第1宽度宽的第2宽度，所述第1导电侧半导体层的至少一部分中的所述一对侧面相对于所述基板的主面倾斜，对于在所述层叠构造体中导波的光，所述基板的主面的法线方向上的光分布的最大强度位置处于所述第1导电侧半导体层内。
申请日期	2018-02-27
专利号	CN110402524A
专利状态	申请中
申请号	CN201880017229.2
公开（公告）号	CN110402524A
IPC 分类号	H01S5/22 \| H01S5/20
专利代理人	韩丁
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57235
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下知识产权经营株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	池户教夫,中谷东吾,冈口贵大,等. 半导体激光装置、半导体激光模块以及焊接用激光源系统. CN110402524A[P]. 2019-11-01.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110402524A.PDF（8703KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文