半导体激光器装置、半导体激光器模块及焊接用激光器光源系统

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	半导体激光器装置、半导体激光器模块及焊接用激光器光源系统
其他题名	半导体激光器装置、半导体激光器模块及焊接用激光器光源系统
	中谷东吾; 冈口贵大; 池户教夫; 横山毅; 薮下智仁; 高山彻; 高须贺祥一
	2019-03-01
专利权人	松下知识产权经营株式会社
公开日期	2019-03-01
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供一种半导体激光器装置、半导体激光器模块及焊接用激光器光源系统。半导体激光器装置(100)具备第1导电侧的第1半导体层(13)、第1导电侧的第2半导体层(14)、活性层(15)、与第1导电侧不同的第2导电侧的第3半导体层(16)和第2导电侧的第4半导体层(17)，在将第2半导体层(14)以及第3半导体层(16)的带隙能量的最大值分别设为Eg2以及Eg3时，满足Eg2＜Eg3的关系式，第3半导体层(16)具有带隙能量朝向第4半导体层(17)单调减少的第1区域层，在将第2半导体层(14)的杂质浓度设为N2，将第3半导体层(16)的杂质浓度设为N3时，满足N2＞N3的关系式。
其他摘要	本发明提供一种半导体激光器装置、半导体激光器模块及焊接用激光器光源系统。半导体激光器装置(100)具备第1导电侧的第1半导体层(13)、第1导电侧的第2半导体层(14)、活性层(15)、与第1导电侧不同的第2导电侧的第3半导体层(16)和第2导电侧的第4半导体层(17)，在将第2半导体层(14)以及第3半导体层(16)的带隙能量的最大值分别设为Eg2以及Eg3时，满足Eg2＜Eg3的关系式，第3半导体层(16)具有带隙能量朝向第4半导体层(17)单调减少的第1区域层，在将第2半导体层(14)的杂质浓度设为N2，将第3半导体层(16)的杂质浓度设为N3时，满足N2＞N3的关系式。
主权项	一种半导体激光器装置，具备：第1导电侧的第1半导体层；与所述第1半导体层相比带隙能量大的所述第1导电侧的第2半导体层；活性层；与所述第1导电侧不同的第2导电侧的第3半导体层；和与所述第3半导体层相比带隙能量小的所述第2导电侧的第4半导体层，在将所述第2半导体层的带隙能量的最大值设为Eg2，将所述第3半导体层的带隙能量的最大值设为Eg3时，满足Eg2＜Eg3的关系式，所述第3半导体层具有带隙能量朝向所述第4半导体层单调减少的第1区域层，在将所述第2半导体层的杂质浓度设为N2，将所述第3半导体层的杂质浓度设为N3时，满足N2＞N3的关系式。
申请日期	2017-06-16
专利号	CN109417276A
专利状态	申请中
申请号	CN201780039859
公开（公告）号	CN109417276A
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	王亚爱
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55034
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下知识产权经营株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	中谷东吾,冈口贵大,池户教夫,等. 半导体激光器装置、半导体激光器模块及焊接用激光器光源系统. CN109417276A[P]. 2019-03-01.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109417276A.PDF（1801KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文