半导体激光器装置

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	半导体激光器装置
其他题名	半导体激光器装置
	高山彻; 早川功一; 佐藤智也; 佐佐木正隼; 木户口勋
	2012-11-21
专利权人	松下电器产业株式会社
公开日期	2012-11-21
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明提供一种半导体激光器装置，在半导体激光器的特性中可全部满足良好的温度特性、高偏光比、没有紊乱的FFP、高扭折光输出，其具备：n型包层；活性层；以及具有条纹状的脊、和分别夹着位于脊一侧的第1沟和位于另一侧的第2沟而设置的翼区域的p型包层。当设前端面的反射率为Rf，共振器端面的后端面的反射率为Rr，前端面附近区域的第1沟的宽度的最小值为W1及第2沟的宽度的最小值为W2，后端面的第1沟的宽度为W3及上述第2沟的宽度为W4时，Rf＜Rr，W1＜W3以及W2＜W4的关系式成立，当设前端面的脊的宽度为Wf，后端面的脊的宽度为Wr时，Wf＞Wr的关系式成立，脊包含由前端面侧向后端面侧宽度减少的区域。
其他摘要	本发明提供一种半导体激光器装置，在半导体激光器的特性中可全部满足良好的温度特性、高偏光比、没有紊乱的FFP、高扭折光输出，其具备：n型包层；活性层；以及具有条纹状的脊、和分别夹着位于脊一侧的第1沟和位于另一侧的第2沟而设置的翼区域的p型包层。当设前端面的反射率为Rf，共振器端面的后端面的反射率为Rr，前端面附近区域的第1沟的宽度的最小值为W1及第2沟的宽度的最小值为W2，后端面的第1沟的宽度为W3及上述第2沟的宽度为W4时，Rf＜Rr，W1＜W3以及W2＜W4的关系式成立，当设前端面的脊的宽度为Wf，后端面的脊的宽度为Wr时，Wf＞Wr的关系式成立，脊包含由前端面侧向后端面侧宽度减少的区域。
申请日期	2009-06-02
专利号	CN101599617B
专利状态	授权
申请号	CN200910203147.X
公开（公告）号	CN101599617B
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01S5/028 \| H01S5/22 \| H01S5/24 \| H01S5/10 \| H01S5/40
专利代理人	汪惠民
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75280
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下电器产业株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	高山彻,早川功一,佐藤智也,等. 半导体激光器装置. CN101599617B[P]. 2012-11-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101599617B.PDF（1701KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文