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面射型雷射陣列、檢測裝置及雷射裝置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: TW201939833A, 申请日期: 2019-10-01, 公开日期: 2019-10-01
发明人:  沼田雅之;  池應敏行;  泉谷一磨;  植野剛;  軸谷直人
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多线阵半导体激光器光栅外腔光谱的合束系统及方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108429129A, 申请日期: 2018-08-21, 公开日期: 2018-08-21
发明人:  林学春;  林谷宜;  赵鹏飞;  王丽荣;  于海娟;  刘燕楠
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半导体激光器、光源单元和光学通信系统 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108233174A, 申请日期: 2018-06-29, 公开日期: 2018-06-29
发明人:  野津俊介;  室谷义治
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半导体装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN106486888A, 申请日期: 2017-03-08, 公开日期: 2017-03-08
发明人:  深谷一夫
Adobe PDF(3960Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：83/0  |  提交时间：2020/01/13
一种InP基中红外InAsBi量子阱结构 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN104104012A, 申请日期: 2014-10-15, 公开日期: 2014-10-15
发明人:  顾溢;  张永刚;  王庶民
Adobe PDF(330Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：68/0  |  提交时间：2020/01/18
GaAs衬底上实现3微米附近发光的量子阱结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103368073A, 申请日期: 2013-10-23, 公开日期: 2013-10-23
发明人:  王庶民;  顾溢;  张永刚;  宋禹忻;  叶虹
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基于数字合金的非矩形量子结构及其实现方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101811659B, 申请日期: 2013-08-28, 公开日期: 2013-08-28
发明人:  张永刚;  顾溢
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一种微型宽脉冲范围双波长光感基因刺激装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102151367B, 申请日期: 2013-04-24, 公开日期: 2013-04-24
发明人:  张永刚;  顾溢
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一种包含赝衬底的InP基应变量子阱结构及制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101982905A, 申请日期: 2011-03-02, 公开日期: 2011-03-02
发明人:  顾溢;  张永刚
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半导体激光器以及制造半导体激光器的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101820135A, 申请日期: 2010-09-01, 公开日期: 2010-09-01
发明人:  多田健太郎;  远藤健司;  深谷一夫;  奥田哲朗;  小林正英
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