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決定化合物半導體層之臨界膜厚的方法、以及使用該決定方法來製造半導體裝置的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: TW423092B, 申请日期: 2001-02-21, 公开日期: 2001-02-21
发明人:  玉村好司;  本弘範;  長井政春;  池田昌夫
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半導體發光元件之製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: TW389012B, 申请日期: 2000-05-01, 公开日期: 2000-05-01
发明人:  加藤豪作;  野口裕泰;  長井政春
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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999150330A, 申请日期: 1999-06-02, 公开日期: 1999-06-02
发明人:  野口 裕泰;  加藤 豪作;  長井 政春
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半導体素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999150329A, 申请日期: 1999-06-02, 公开日期: 1999-06-02
发明人:  中山 典一;  大原 真穂;  金子 由美;  谷口 理;  長井 政春
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半導体発光素子およびその製造方法ならびに光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998326941A, 申请日期: 1998-12-08, 公开日期: 1998-12-08
发明人:  長井 政春;  青木 徹;  畑中 義式;  石橋 晃
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半導体発光素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998294494A, 申请日期: 1998-11-04, 公开日期: 1998-11-04
发明人:  戸田 淳;  石橋 晃;  白石 誠司;  野口 裕泰;  左中 由美;  長井 政春;  ジョン フランシス ドネガン;  クリストフ ジョーダン;  デイビッド トーマス フューワー;  エスネ マリー マッキャプ
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光半導体装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996051251A, 申请日期: 1996-02-20, 公开日期: 1996-02-20
发明人:  松元 理;  冨谷 茂隆;  中野 一志;  長井 政春;  伊藤 哲;  石橋 晃;  森田 悦男
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