半導体発光素子およびその製造方法ならびに光装置

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	半導体発光素子およびその製造方法ならびに光装置
其他题名	半導体発光素子およびその製造方法ならびに光装置
	長井政春; 青木徹; 畑中義式; 石橋晃
	1998-12-08
专利权人	ソニー株式会社
公开日期	1998-12-08
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】容易に動作電圧を低下させることができる半導体発光素子およびその製造方法ならびに光装置を提供する。【解決手段】 n型の基板1の上にn型クラッド層5,第1のガイド層6,活性層7,第2のガイド層8およびp型クラッド層9,第1の半導体層10,ZnSeよりなる第2の半導体層11を順次積層し、その上にNa2 Seよりなるアルカリ化合物層を形成する。次いで、エキシマレーザービームを照射して加熱処理し、第2の半導体層11の一部とアルカリ化合物層の少なくとも一部を変化させてコンタクト層12を形成する。続いて、コンタクト層12の上にp側電極14を形成する。コンタクト層12は、p型不純物としてアルカリ金属を含み、電気抵抗が低くなっている。よって、動作電圧が低くなり、少ない電力で動作させることができ、寿命を延長できる。
其他摘要	要解决的问题：提供能够容易地降低工作电压的半导体发光元件，制造和光学器件。解决方案：（n）型包覆层5，第一引导层6，有源层7，第二引导层8，（p）型包覆层9，第一半导体层10和第二半导体层11在（n）型基板1上依次层叠由ZnSe构成的层，在其上形成由Na 2 Se构成的碱化合物层。然后，进行准分子激光束照射，进行加热处理，改变第二半导体层11的一部分，至少一部分碱化合物层，形成接触层12。然后，在接触层12上形成（p）侧电极14.接触层12含有碱金属作为（p）型杂质，并且电阻低。因此，降低了工作电压，以较少的功率执行操作，并且延长了使用寿命。
申请日期	1997-09-11
专利号	JP1998326941A
专利状态	失效
申请号	JP1997247326
公开（公告）号	JP1998326941A
IPC 分类号	H01L33/40 \| H01L33/28 \| H01L33/00 \| H01L21/203 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	藤島洋一郎
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84807
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ソニー株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	長井政春,青木徹,畑中義式,等. 半導体発光素子およびその製造方法ならびに光装置. JP1998326941A[P]. 1998-12-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1998326941A.PDF（196KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文