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窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3655066B2, 申请日期: 2005-03-11, 公开日期: 2005-06-02
发明人:  小野村 正明;  波多腰 玄一;  板谷 和彦;  吉田 博昭;  鈴木 真理子
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半導体発光素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3242967B2, 申请日期: 2001-10-19, 公开日期: 2001-12-25
发明人:  板谷 和彦;  新田 康一;  波多腰 玄一;  西川 幸江;  菅原 秀人;  鈴木 真理子
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半導体レーザ装置及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2938198B2, 申请日期: 1999-06-11, 公开日期: 1999-08-23
发明人:  波多腰 玄一;  板谷 和彦;  西川 幸江;  鈴木 真理子;  新田 康一;  岡島 正季
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半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998294529A, 申请日期: 1998-11-04, 公开日期: 1998-11-04
发明人:  波多腰 玄一;  小野村 正明;  ジョン·レニー;  鈴木 真理子;  布上 真也;  石川 正行
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2807250B2, 申请日期: 1998-07-24, 公开日期: 1998-10-08
发明人:  鈴木 真理子;  板谷 和彦;  石川 正行;  波多腰 玄一;  渡辺 幸雄
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