窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法

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	窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法
其他题名	窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法
	小野村正明; 波多腰玄一; 板谷和彦; 吉田博昭; 鈴木真理子
	2005-03-11
专利权人	株式会社東芝
公开日期	2005-06-02
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【課題】本発明は、電流ブロック層には電流注入部より屈折率が大きい光閉じ込め層を設け、さらに電流注入部は中心から端に向けて屈折率を大きくさせる構造により、安定な基本横モードで連続発振することができ、非点収差が小さく閾電流密度が低い窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明は窒化ガリウム系化合物半導体レーザにおいて、n-Al0.15Ga0.85Nクラッド層103、n-GaN導波層104の上部に、ストライプ中心部より周辺部の方が屈折率が大きい量子井戸構造活性層107、p-GaN導波層108、p-AlGaNクラッド層109が順次形成され、ストライプ両側には屈折率の大きいp-In0.1Ga0.9N電流ブロック層105とn-In0.1Ga0.9N電流ブロック層106が形成され、さらに全面にp-Al0.15Ga0.85Nクラッド層110が形成されていることを特徴とする。
其他摘要	公开在电流阻挡层的结构，提供了一种光限制层比所述电流注入单元还电流注入部，以增加从中心朝向端部的折射率，稳定基横模折射率大在可以是连续波，散光提供减小阈值电流密度是基于氮化物低稼系化合物半导体激光器及其制造方法。在本发明中是一种氮化镓系化合物半导体激光器中，由n-Al 0.15 GA 0.85 N覆层103，n型GaN波导层104的顶朝向周边比条纹中央部依次形成折射率量子阱结构有源层107是大的，p型GaN波导层108，p型AlGaN包层109，在两侧的条纹大的折射率对 - 在 0.1 GA 0.9 n个电流阻挡层105和n中 0.1 GA 0.9 n个电流阻挡层106形成，其特征在于它是在由p-Al的整个表面 0.15 GA 0.85 形成N覆层110。
授权日期	2005-03-11
申请日期	1997-09-16
专利号	JP3655066B2
专利状态	失效
申请号	JP1997250250
公开（公告）号	JP3655066B2
IPC 分类号	H01L33/34 \| H01L \| H01S \| H01S5/323 \| H01S5/343 \| H01L33/06 \| H01L33/14 \| H01L33/32 \| H01S5/00 \| H01L33/00
专利代理人	外川英明
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39355
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社東芝
推荐引用方式 GB/T 7714	小野村正明,波多腰玄一,板谷和彦,等. 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法. JP3655066B2[P]. 2005-03-11.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP3655066B2.PDF（126KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文