半導体レーザ及びその製造方法

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	半導体レーザ及びその製造方法
其他题名	半導体レーザ及びその製造方法
	波多腰玄一; 小野村正明; ジョン·レニー; 鈴木真理子; 布上真也; 石川正行
	1998-11-04
专利权人	株式会社東芝
公开日期	1998-11-04
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】本発明は、基本横モードで連続発振することができ、光ディスクシステム等の光源に適した非点収差のない良質の出射ビームの実現を図る。【解決手段】サファイア基板10上のn型GaNバッファ層11上にn型GaAlNクラッド層13、MQWの活性層16、及びp型GaAlNクラッド層19を形成してなり、クラッド層19にストライプ状のリッジを有するダブルヘテロ構造部と、このダブルヘテロ構造部上のクラッド層19のリッジ部以外の領域に形成された光閉込め層とを備え、光閉込め層の屈折率をp型GaAlNクラッド層の屈折率よりも大きくすることにより、屈折率分布による導波構造を形成して横モードを制御するので、しきい電流密度を低減でき、かつ基本横モードで連続発振できるInGaAlBN系の半導体レーザ及びその製造方法。
其他摘要	要解决的问题：实现高质量的投影光束，它可以在基本横向模式下连续振荡，并且没有适合光盘系统光源的像散等。解决方案：半导体激光器由形成n构成在蓝宝石衬底10上的n型GaN缓冲层11上形成GaAlN包层13，MQW（多量子阱）的有源层16和p型GaAlN包层19，并且包层19配备有双异质结构部分条纹脊和光限制层形成在双异质结构部分上的包层19的脊部分之外的区域中。在这种情况下，使光限制层的折射率大于p型GaAlN包层的折射率。因此，通过形成具有折射率分布的波导结构来控制横向模式，从而降低阈值电流密度，并且在横向模式中，可以连续地振荡基于InGaAlBN的半导体激光器。
申请日期	1997-07-31
专利号	JP1998294529A
专利状态	失效
申请号	JP1997206937
公开（公告）号	JP1998294529A
IPC 分类号	H01L33/14 \| H01S5/323 \| H01S5/00 \| H01L33/32 \| H01L33/06 \| H01L33/34 \| H01L29/06 \| H01S5/343 \| H01L33/28 \| H01L33/12 \| H01S5/20 \| H01S3/18 \| H01L33/00
专利代理人	鈴江武彦 (外6名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83207
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社東芝
推荐引用方式 GB/T 7714	波多腰玄一,小野村正明,ジョン·レニー,等. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1998294529A[P]. 1998-11-04.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1998294529A.PDF（483KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文