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半導体レーザおよび半導体発光素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3567550B2, 申请日期: 2004-06-25, 公开日期: 2004-09-22
发明人:  鈴木 政勝;  上野山 雄
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半導体レーザ装置、光ディスク装置及び光集積化装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2003133648A, 申请日期: 2003-05-09, 公开日期: 2003-05-09
发明人:  粂 雅博;  木戸口 勲;  伴 雄三郎;  宮永 良子;  鈴木 政勝
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半導体発光素子、その製造方法及び光ディスク装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2003037338A, 申请日期: 2003-02-07, 公开日期: 2003-02-07
发明人:  辻村 歩;  長谷川 義晃;  石橋 明彦;  木戸口 勲;  鈴木 政勝;  伴 雄三郎
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2002305348A, 申请日期: 2002-10-18, 公开日期: 2002-10-18
发明人:  菅原 岳;  木戸口 勲;  宮永 良子;  鈴木 政勝;  粂 雅博;  伴 雄三郎;  平山 福一
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半導体発光素子及び半導体発光装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3252779B2, 申请日期: 2001-11-22, 公开日期: 2002-02-04
发明人:  上山 智;  鈴木 政勝;  上野山 雄;  大仲 清司;  高森 晃;  萬濃 正也;  木戸口 勲;  足立 秀人;  石橋 明彦;  福久 敏哉;  熊渕 康仁
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半導体レーザ素子、その製造方法及び光ディスク装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2001223428A, 申请日期: 2001-08-17, 公开日期: 2001-08-17
发明人:  菅原 岳;  木戸口 勲;  宮永 良子;  鈴木 政勝;  粂 雅博;  伴 雄三郎;  平山 福一
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半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3206316B2, 申请日期: 2001-07-06, 公开日期: 2001-09-10
发明人:  上山 智;  大仲 清司;  上野山 雄;  鈴木 政勝
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半導体素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000332357A, 申请日期: 2000-11-30, 公开日期: 2000-11-30
发明人:  木戸口 勲;  宮永 良子;  菅原 岳;  鈴木 政勝;  粂 雅博;  伴 雄三郎
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半導体光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996181386A, 申请日期: 1996-07-12, 公开日期: 1996-07-12
发明人:  上山 智;  鈴木 政勝;  上野山 雄
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