半導体レーザ素子、その製造方法及び光ディスク装置

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	半導体レーザ素子、その製造方法及び光ディスク装置
其他题名	半導体レーザ素子、その製造方法及び光ディスク装置
	菅原岳; 木戸口勲; 宮永良子; 鈴木政勝; 粂雅博; 伴雄三郎; 平山福一
	2001-08-17
专利权人	松下電器産業株式会社
公开日期	2001-08-17
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】半導体レーザ素子の高出力化又は短波長化に対応できる端面反射膜を得られるようにする。【解決手段】半導体レーザ素子10には、窒化ガリウムからなる障壁層と窒化インジウムガリウムからなる井戸層とにより構成される量子井戸活性層11が少なくともn型とp型の各窒化アルミニウムガリウムからなる光ガイド層に上下方向から挟まれてなる共振器12が形成されている。共振器12におけるレーザ光100の出射端面10aと反対側の反射端面10bには端面反射膜13が設けられている。端面反射膜13は、共振器12の端面側から順次成膜された酸化シリコンからなる低屈折率膜13aと酸化ニオブからなる高屈折率膜13bとにより構成される単位反射膜130を複数含むように構成されている。
其他摘要	获得能够应对半导体激光器件的更高输出或更短波长的端面反射膜。解决方案：在半导体激光器件10中，至少在n型和p型氮化铝镓的光上形成由氮化镓制成的阻挡层和由氮化铟镓制成的阱层构成的量子阱有源层11。并且形成在垂直方向上夹在引导层之间的谐振器12。端面反射膜13设置在反射器12中与激光100的发射端面10a相对的一侧上的反射端面10b上。端面反射膜13包括由氧化硅制成的低折射率膜13a构成的多个单元反射膜130和由谐振器12的端面侧依次形成的由氧化铌制成的高折射率膜13b。它被配置。
主权项	-
申请日期	2000-11-28
专利号	JP2001223428A
专利状态	授权
申请号	JP2000361161
公开（公告）号	JP2001223428A
IPC 分类号	H01S5/028 \| G11B7/125
专利代理人	前田弘 (外7名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60547
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下電器産業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	菅原岳,木戸口勲,宮永良子,等. 半導体レーザ素子、その製造方法及び光ディスク装置. JP2001223428A[P]. 2001-08-17.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2001223428A.PDF（75KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文