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一种提高n型GaSb基半导体激光器材料掺杂浓度的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN108183391B, 申请日期: 2019-09-27, 公开日期: 2019-09-27
发明人:  魏志鹏;  贾慧民;  唐吉龙;  牛守柱;  王登魁;  王新伟;  冯源;  王晓华;  马晓辉
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一种半导体激光器材料钝化方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108288816A, 申请日期: 2018-07-17, 公开日期: 2018-07-17
发明人:  魏志鹏;  方铉;  唐吉龙;  贾慧民;  房丹;  李浩林;  李如雪;  郝永琴;  王晓华;  马晓辉
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一种窄线宽半导体激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108054634A, 申请日期: 2018-05-18, 公开日期: 2018-05-18
发明人:  魏志鹏;  唐吉龙;  贾慧民;  方铉;  房丹;  牛守柱;  朱笑天;  李洋;  王晓华
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一种增强发光效率稳定输出波长的半导体激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107370020A, 申请日期: 2017-11-21, 公开日期: 2017-11-21
发明人:  方铉;  魏志鹏;  唐吉龙;  房丹;  贾慧民;  王登魁;  王菲;  李金华;  楚学影;  王晓华
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一种半导体光放大器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN106785915A, 申请日期: 2017-05-31, 公开日期: 2017-05-31
发明人:  魏志鹏;  唐吉龙;  贾慧民;  方铉;  张晶;  郝永芹;  王菲;  马晓辉;  王晓华
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一种量子点带间级联激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN105977788A, 申请日期: 2016-09-28, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  魏志鹏;  唐吉龙;  方铉;  刘雪;  高娴;  贾慧民;  范杰;  马晓辉;  王晓华
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一种钙钛矿微型激光器的制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109193327A, 公开日期: 2019-01-11
发明人:  方铉;  魏志鹏;  唐吉龙;  李如雪;  贾慧民;  房丹;  冯源;  王新伟;  马晓辉
Adobe PDF(316Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：145/0  |  提交时间：2019/12/26