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半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3464853B2, 申请日期: 2003-08-22, 公开日期: 2003-11-10
发明人:  小野村 正明;  西川 幸江;  波多腰 玄一
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半導体発光素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3242967B2, 申请日期: 2001-10-19, 公开日期: 2001-12-25
发明人:  板谷 和彦;  新田 康一;  波多腰 玄一;  西川 幸江;  菅原 秀人;  鈴木 真理子
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半導体発光装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3222652B2, 申请日期: 2001-08-17, 公开日期: 2001-10-29
发明人:  西川 幸江;  石川 正行;  斎藤 真司
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半導体装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3207618B2, 申请日期: 2001-07-06, 公开日期: 2001-09-10
发明人:  石川 正行;  西川 幸江;  斎藤 真司
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2997573B2, 申请日期: 1999-10-29, 公开日期: 2000-01-11
发明人:  西川 幸江;  新田 康一;  岡島 正季;  渡邊 実;  板谷 和彦;  波多腰 玄一
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半導体レーザ装置及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2938198B2, 申请日期: 1999-06-11, 公开日期: 1999-08-23
发明人:  波多腰 玄一;  板谷 和彦;  西川 幸江;  鈴木 真理子;  新田 康一;  岡島 正季
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2685778B2, 申请日期: 1997-08-15, 公开日期: 1997-12-03
发明人:  西川 幸江;  大場 康夫;  国分 義弘;  石川 正行
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半導体発光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996088405A, 申请日期: 1996-04-02, 公开日期: 1996-04-02
发明人:  パーブルップ·ピーター;  石川 正行;  西川 幸江;  ジョン·レニー;  波多腰 玄一
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半導体発光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994268331A, 申请日期: 1994-09-22, 公开日期: 1994-09-22
发明人:  石川 正行;  西川 幸江;  斎藤 真司
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1993243666A, 申请日期: 1993-09-21, 公开日期: 1993-09-21
发明人:  新田 康一;  板谷 和彦;  岡島 正季;  波多腰 玄一;  中村 優;  西川 幸江;  菅原 秀人
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