Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体装置 | |
| 其他题名 | 半導体装置 |
| 石川 正行; 西川 幸江; 斎藤 真司 | |
| 2001-07-06 | |
| 专利权人 | 株式会社東芝 |
| 公开日期 | 2001-09-10 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】GaAs基板上にワイドギャップ II-VI族化合物半導体からなる化合物半導体層を形成しても素子特性の劣化を防止し得る構造の半導体装置(半導体レーザ,LED,HBT,etc )を提供すること。 【構成】半導体レーザの場合には、p型GaAs基板1と、このp型GaAs基板1上に設けられたp型InGaP表面層2と、このp型InGaP表面層2上に設けられたp型InGaAlPワイドキャップ層3と、このp型InGaAlPワイドキャップ層3上に設けられ、p型ZnSe下部クラッド層6とn型ZnSe上部クラッド層8とで挾持されたCdZnSe/ZnSe量子井戸活性層7とを備えていることを特徴とする。 |
| 其他摘要 | 即使在GaAs衬底上形成由宽间隙II-VI化合物半导体制成的化合物半导体层时也具有能够防止器件特性劣化的结构的半导体器件（半导体激光器，LED，HBT等）它。 在半导体激光器的情况下，p型GaAs衬底1，设置在p型GaAs衬底1上的p型InGaP表面层2，设置在p型InGaP表面层2上的p型半导体层InGaAlP宽盖层3和夹在p型ZnSe下包层6和设置在p型InGaAlP宽盖层3上的n型ZnSe上包层8之间的CdZnSe / ZnSe量子阱有源层7其特征在于它包括。 |
| 申请日期 | 1993-06-25 |
| 专利号 | JP3207618B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1993154691 |
| 公开（公告）号 | JP3207618B2 |
| IPC 分类号 | H01L | H01L29/73 | H01S5/327 | H01L29/205 | H01L21/331 | H01S | H01L33/40 | H01L33/06 | H01L33/62 | H01S5/042 | H01L33/14 | H01L33/30 | H01S5/00 | H01L29/737 | H01L33/28 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 鈴江 武彦 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84335 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石川 正行,西川 幸江,斎藤 真司. 半導体装置. JP3207618B2[P]. 2001-07-06. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3207618B2.PDF（56KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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