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| 半導体レーザ素子とその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3084042B2, 申请日期: 2000-06-30, 公开日期: 2000-09-04
发明人: 中西 千登勢; 瀧口 治久; 工藤 裕章; 菅原 聰
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| 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999017272A, 申请日期: 1999-01-22, 公开日期: 1999-01-22
发明人: 幡 俊雄; 菅原 聰; 花岡 大介
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| 電流狭窄型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998335749A, 申请日期: 1998-12-18, 公开日期: 1998-12-18
发明人: 幡 俊雄; 菅原 聰; 花岡 大介
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| 半導体レーザ装置およびその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2810518B2, 申请日期: 1998-07-31, 公开日期: 1998-10-15
发明人: 工藤 裕章; 瀧口 治久; 猪口 和彦; 中西 千登勢; 菅原 聰
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| 半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2806533B2, 申请日期: 1998-07-24, 公开日期: 1998-09-30
发明人: 坂根 千登勢; 瀧口 治久; 工藤 裕章; 菅原 聰
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| 半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2755357B2, 申请日期: 1998-03-06, 公开日期: 1998-05-20
发明人: 種谷 元隆; 工藤 裕章; 菅原 聰; 猪口 和彦; 中西 千登勢; 滝口 治久
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| 半導体レーザの製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2554192B2, 申请日期: 1996-08-22, 公开日期: 1996-11-13
发明人: 瀧口 治久; 中津 弘志; 猪口 和彦; 厚主 文弘; 坂根 千登勢; 奥村 敏之; 菅原 聰
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| 半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996213697A, 申请日期: 1996-08-20, 公开日期: 1996-08-20
发明人: 坂根 千登勢; 瀧口 治久; 工藤 裕章; 菅原 聰
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| 半導体レーザ素子及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2547459B2, 申请日期: 1996-08-08, 公开日期: 1996-10-23
发明人: 滝口 治久; 猪口 和彦; 厚主 文弘; 奥村 敏之; 坂根 千登勢; 菅原 聰; 中津 弘志
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| 半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995094824A, 申请日期: 1995-04-07, 公开日期: 1995-04-07
发明人: 大林 健; 工藤 裕章; 猪口 和彦; 菅原 聰; 八木 久晴; 伊藤 茂稔
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