半導体レーザ素子とその製造方法

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	半導体レーザ素子とその製造方法
其他题名	半導体レーザ素子とその製造方法
	中西千登勢; 瀧口治久; 工藤裕章; 菅原聰
	2000-06-30
专利权人	シャープ株式会社
公开日期	2000-09-04
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To enable a semiconductor laser element to stably oscillate laser rays in a single longitudinal mode and to efficiently emit laser rays in a single longitudinal mode and to efficiently emit laser rays of high power by a method wherein a rugged part is formed through a wet etching method and a dry etching method. CONSTITUTION:An optical waveguide layer 5 is formed on the upside of a semiconductor substrate 1, and a laminated structure 12 where a first clad layer 2, an active layer 3, and a second clad layer 6 are laminated in this sequence is provided onto a prescribed region C on the layer 5. A rugged part of periodic structure possessed of a certain period is provided to regions A and B on the layer 5 where the structure 12 is not formed to form a first diffraction grating structure 13 and a second diffraction grating structure 14. In this case, the surface of the region A is etched through a wet etching method and the surface of the region B is etched by a dry etching method. The structure 13 is formed into a periodic structure of sine waves in cross section, and the structure 14 is formed into a periodic structure of rectangular waves in cross section. By this setup, a semiconductor laser of this design can efficiently emit laser rays of high power.
其他摘要	目的：使半导体激光器元件能够以单纵模稳定振荡激光射线，并以单纵模有效发射激光射线，并通过湿法形成凹凸部分的方法有效地发射高功率激光射线蚀刻方法和干蚀刻方法。组成：在半导体衬底1的上侧形成光波导层5，并且在该序列中层叠第一覆层2，有源层3和第二覆层6的层叠结构12被提供到具有一定周期的周期性结构的粗糙部分被提供给未形成结构12的层5上的区域A和B，以形成第一衍射光栅结构13和第二衍射光栅。在这种情况下，通过湿蚀刻方法蚀刻区域A的表面，并且通过干蚀刻方法蚀刻区域B的表面。结构13的横截面形成为正弦波的周期性结构，并且结构14的横截面形成为矩形波的周期性结构。通过这种设置，这种设计的半导体激光器可以有效地发射高功率的激光线。
主权项	-
申请日期	1990-05-25
专利号	JP3084042B2
专利状态	失效
申请号	JP1990136574
公开（公告）号	JP3084042B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/00 \| H01S5/12
专利代理人	小池隆彌 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44639
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	シャープ株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	中西千登勢,瀧口治久,工藤裕章,等. 半導体レーザ素子とその製造方法. JP3084042B2[P]. 2000-06-30.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP3084042B2.PDF（35KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文