半導体レーザ素子及びその製造方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	半導体レーザ素子及びその製造方法
其他题名	半導体レーザ素子及びその製造方法
	滝口治久; 猪口和彦; 厚主文弘; 奥村敏之; 坂根千登勢; 菅原聰; 中津弘志
	1996-08-08
专利权人	シャープ株式会社
公开日期	1996-10-23
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To enable an active layer to be accurately controlled in width by a method wherein a mesa stripe-like structure provided with the side face of a {111} plane is grown in a groove formed on a substrate. CONSTITUTION:A GaAs current block layer 2 is formed on an N-type GaAs substrate 1a, and a groove 10a is formed through an MOCVD method on the current block layer 2 extending along a [011] direction. An N-type AlGaAs clad layer 3a, an AlGaAs active layer 4a, and a P-type AlGaAs clad layer 5a are continuously grown through an MOCVD method on the surface of the substrate 1a in the groove 10a. In succession, a triangular mesa stripe structure whose side face is a {111} B plane is formed on the groove 10a. At this point, the clad layer 3b, the active layer 4b, and the clad layer 5b are continuously grown even on the current blocking layer 2. Thereafter, a P-type AlGaAs buried layer 6 and a P-type GaAs contact layer 7 are successively grown, and an Au/Zn electrode 8 and an Au/Ge electrode 9 are built respectively.
其他摘要	用途：通过一种方法可以精确地控制有源层的宽度，其中设置有{111}面的侧面的台面条状结构生长在基板上形成的凹槽中。组成：在N型GaAs衬底1a上形成GaAs电流阻挡层2，并在沿[011]方向延伸的电流阻挡层2上通过MOCVD方法形成凹槽10a。通过MOCVD法在沟槽10a中的基板1a的表面上连续生长N型AlGaAs包层3a，AlGaAs有源层4a和P型AlGaAs包层5a。接着，在槽10a上形成侧面为{111} B面的三角形台面条纹结构。此时，包层3b，有源层4b和包层5b甚至在电流阻挡层2上连续生长。此后，P型AlGaAs埋层6和P型GaAs接触层7是接着生长，分别构建Au / Zn电极8和Au / Ge电极9。
申请日期	1990-01-31
专利号	JP2547459B2
专利状态	失效
申请号	JP1990022955
公开（公告）号	JP2547459B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	山本秀策
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81387
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	シャープ株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	滝口治久,猪口和彦,厚主文弘,等. 半導体レーザ素子及びその製造方法. JP2547459B2[P]. 1996-08-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2547459B2.PDF（50KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文