半導体レーザ素子

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	半導体レーザ素子
其他题名	半導体レーザ素子
	種谷元隆; 工藤裕章; 菅原聰; 猪口和彦; 中西千登勢; 滝口治久
	1998-03-06
专利权人	シャープ株式会社
公开日期	1998-05-20
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【目的】ダブルヘテロ構造の半導体レーザ素子において,基板に垂直な方向の導波路屈折率の分布を,活性層およびクラッド層の半導体材料に固有の屈折率に依存することなく,自由に設計することを可能にし,基板に垂直な方向における光ビームの放射角を低減させ,真円に近いビームスポットを得る。【構成】基板11上に活性層13を第1クラッド層12および第2クラッド層14で挟んだダブルヘテロ構造が形成されている。活性層13は導波方向に層厚の3倍以上の振幅を有する正弦波状の周期的な凹凸構造を有する。活性層13近傍の屈折率を導波方向に平均化した平均屈折率navとクラッド層12および14の屈折率nclとは関係式(nav-ncl)/ncl≦2%を満足する。平均屈折率分布(C)は,基板に垂直な方向の近視野像を広げ,真円に近いビームスポットを与える。
其他摘要	目的：通过自由设计垂直于基板方向的波导折射率分布而不依赖于本征，减小光束在垂直于基板的方向上的辐射角度，并获得真实圆周附近的光束点具有双异质结构的半导体激光元件中的有源层和包层的半导体材料的折射率。组成：在基板11上形成双异质结构，其中有源层13介于第一包层12和第二包层14之间。层13具有周期性的具有振幅的正弦波状态的不均匀结构是波导方向上的层厚度的三倍。平均折射率nav，其中层13附近的折射率在波导方向上平均，并且层12,14的折射率nc1满足关系式（nav-Oc1）/nc1≤2％。平均折射率分布（C）在垂直于基板的方向上增加近视野图像，并且在真实圆周附近给出光束点。
申请日期	1991-08-30
专利号	JP2755357B2
专利状态	失效
申请号	JP1991220624
公开（公告）号	JP2755357B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	山本秀策
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80386
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	シャープ株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	種谷元隆,工藤裕章,菅原聰,等. 半導体レーザ素子. JP2755357B2[P]. 1998-03-06.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2755357B2.PDF（41KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文