半導体レーザの製造方法

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	半導体レーザの製造方法
其他题名	半導体レーザの製造方法
	瀧口治久; 中津弘志; 猪口和彦; 厚主文弘; 坂根千登勢; 奥村敏之; 菅原聰
	1996-08-22
专利权人	シャープ株式会社
公开日期	1996-11-13
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To enable a narrow active layer to be formed excellent in reproducibility and a buried layer to be grown by a method wherein an AlGaAs layer is laminated on a GaAs substrate, an etching process is carried out, and a selective growth is performed through an MOCVD method. CONSTITUTION:A second conductivity type or a semi-insulating (resistivity: 1X10OMEGAcm) AlxGa1-xAs ((AlxGa1-x)0.47In0.53As conformable to InP in lattice) is laminated on a first conductivity type GaAs (InP) substrate provided with a 100 plane. A channel is provided in a direction to a laminated substrate so as to reach to the substrate through etching, and a double hetero-structure composed of a first conductivity type AlGaAs (InP) clad layer, an AlGaAs (GaxIn1-xPyAs1-y, x=0.47(1-y)) active layer, an a second conductivity type AlGaAs (InP) clad layer is made to grow selectively on the substrate at the base of the channel, where the grown hetero-structure whose side face is surrounded by a 111 plane is triangular or trapezoidal in cross section. Furthermore, an AlGaAs (InP) semi-insulating layer, a PN reverse bias multilayer, or a second conductivity type AlGaAs (InP) layer is made to grow on the outer region of the hetero-structure concerned as buried.
其他摘要	目的：为了使再生性优异的窄有源层和要通过AlGaAs层层叠在GaAs衬底上的方法生长的掩埋层能够生长，进行蚀刻处理，并通过选择性生长进行选择性生长。 MOCVD方法。组成：第二导电类型或半绝缘（电阻率：1X10 6 OMEGAcm）AlxGa1-xAs（（AlxGa1-x）0.47In0.53As符合晶格中的InP）层压在第一导电类型GaAs（InP）上基板设有100平面。在方向上提供沟道到层压衬底以便通过蚀刻到达衬底，以及由第一导电类型AlGaAs（InP）包层，AlGaAs（GaxIn1-xPyAs1-）组成的双异质结构y，x = 0.47（1-y））有源层，使第二导电型AlGaAs（InP）包覆层选择性地生长在沟道底部的衬底上，其中生长的异质结构的侧面是由111平面包围的横截面为三角形或梯形。此外，使AlGaAs（InP）半绝缘层，PN反向偏压多层或第二导电类型AlGaAs（InP）层在所掩埋的异质结构的外部区域上生长。
申请日期	1990-06-20
专利号	JP2554192B2
专利状态	失效
申请号	JP1990162334
公开（公告）号	JP2554192B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/042 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	梅田勝 (外2名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87911
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	シャープ株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	瀧口治久,中津弘志,猪口和彦,等. 半導体レーザの製造方法. JP2554192B2[P]. 1996-08-22.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2554192B2.PDF（59KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文