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| 半导体激光器件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101013796A, 申请日期: 2007-08-08, 公开日期: 2007-08-08
发明人: 细羽弘之
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| 半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006295056A, 申请日期: 2006-10-26, 公开日期: 2006-10-26
发明人: 森 淳; 細羽 弘之
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| 半導体レーザー素子、その製造方法及びそれを搭載した光ピックアップ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2005079525A, 申请日期: 2005-03-24, 公开日期: 2005-03-24
发明人: 細羽 弘之; 光本 高宏
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| 半導体発光素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3444812B2, 申请日期: 2003-06-27, 公开日期: 2003-09-08
发明人: 近藤 雅文; 細羽 弘之; 兼岩 進治; ▲吉▼田 智彦; 大林 健; 幡 俊雄; 須山 尚宏
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| 半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3197050B2, 申请日期: 2001-06-08, 公开日期: 2001-08-13
发明人: 兼岩 進治; 幡 俊雄; 細羽 弘之; 須山 尚宏; 近藤 雅文; 大林 健; ▲吉▼田 智彦
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| 半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3183692B2, 申请日期: 2001-04-27, 公开日期: 2001-07-09
发明人: ▲吉▼田 智彦; 須山 尚宏; 兼岩 進治; 近藤 雅文; 細羽 弘之; 幡 俊雄; 大林 健
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| 半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3096419B2, 申请日期: 2000-08-04, 公开日期: 2000-10-10
发明人: 須山 尚宏; ▲吉▼田 智彦; 細羽 弘之; 大林 健; 近藤 雅文; 兼岩 進治; 幡 俊雄
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| 窒化ガリウム系半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3025760B2, 申请日期: 2000-01-21, 公开日期: 2000-03-27
发明人: 近藤 雅文; 細羽 弘之; 兼岩 進治; ▲吉▼田 智彦; 大林 健; 幡 俊雄; 須山 尚宏
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| 化合物半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999289109A, 申请日期: 1999-10-19, 公开日期: 1999-10-19
发明人: 細羽弘之; 須山尚宏; ▲吉▼田 智彦; 兼岩 進治; 近藤 雅文; 幡 俊雄; 大林 健
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| 化合物半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999284229A, 申请日期: 1999-10-15, 公开日期: 1999-10-15
发明人: 細羽弘之; 須山尚宏; ▲吉▼田 智彦; 兼岩 進治; 近藤 雅文; 幡 俊雄; 大林 健
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