Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ素子 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 須山 尚宏; ▲吉▼田 智彦; 細羽 弘之; 大林 健; 近藤 雅文; 兼岩 進治; 幡 俊雄 | |
| 2000-08-04 | |
| 专利权人 | シャープ株式会社 |
| 公开日期 | 2000-10-10 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【課題】 半導体レーザ素子の内部に吸収損失のきわめて低い屈折率導波路を形成する。 【解決手段】 半導体基板上に、少なくとも、第1クラッド層、活性層、第2クラッド層、及び、保護層がこの順で形成され、該保護層上に、少なくとも、リッジストライプ状の第3クラッド層が形成され、該第3クラッド層両側面に埋込層が形成されてなる半導体レーザ素子であって、前記保護層は、その屈折率が前記活性層より大きく、且つ、その厚さが、該保護層の実質的なバンドギャップが前記活性層のバンドギャップと比べ大きいか、又はほぼ同等になるよう設定する。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：在半导体激光器元件内形成具有极低吸收损耗的折射率波导。 在半导体衬底上依次形成第一包层，有源层，第二包层和保护层，并且以脊条的形式形成至少第三包层并且在第三覆层的两个侧表面上形成埋层，其中保护层的折射率高于有源层的折射率和保护层的厚度，保护层的实质带隙设定为大于或基本等于有源层的带隙。 |
| 申请日期 | 1992-05-27 |
| 专利号 | JP3096419B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1996003912 |
| 公开（公告）号 | JP3096419B2 |
| IPC 分类号 | H01L | H01S | H01L21/203 | H01S5/227 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 小池 隆彌 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76146 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 須山 尚宏,▲吉▼田 智彦,細羽 弘之,等. 半導体レーザ素子. JP3096419B2[P]. 2000-08-04. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3096419B2.PDF（43KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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