半導体レーザー素子、その製造方法及びそれを搭載した光ピックアップ装置

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	半導体レーザー素子、その製造方法及びそれを搭載した光ピックアップ装置
其他题名	半導体レーザー素子、その製造方法及びそれを搭載した光ピックアップ装置
	細羽弘之; 光本高宏
	2005-03-24
专利权人	SHARP CORP
公开日期	2005-03-24
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】戻り光によるトラッキングノイズを抑制できる半導体レーザー素子、及びこの半導体レーザー素子を生産歩留りを低下させることなく容易に製造できる製造方法、及びこの半導体レーザー素子を用いた光ピックアップ装置を提供すること。【解決手段】半導体基板と、この半導体基板の表面に形成された活性層を含む複数の半導体積層膜とを少なくとも備え、半導体基板は、少なくとも活性層のレーザ光出射端面側の端面に、半導体基板の裏面から活性層の厚み中心よりも基板側へ50μm以下の位置にかけて、活性層に対し平行方向に延びる溝を有する半導体レーザー素子を提供することにより課題を解決する。【選択図】図1
其他摘要	要解决的问题：提供一种能够抑制由于返回光引起的跟踪噪声的半导体激光元件，一种能够在不降低成品率的情况下容易地制造半导体激光元件的制造方法，以及使用该半导体激光元件的光学拾取装置。解决方案：通过提供半导体激光器元件解决问题，所述半导体激光器元件至少包括半导体衬底，以及包括形成在半导体衬底的表面上的有源层的多个半导体堆叠膜，其中半导体衬底具有延伸到半导体衬底的沟道。从有源层的后表面平行于有源层的方向至至少在有源层侧的边缘面上至少在有源层的厚度中心位于基板侧50μm或更小的位置以用于发射激光灯。 Ž
主权项	-
申请日期	2003-09-03
专利号	JP2005079525A
专利状态	失效
申请号	JP2003311557
公开（公告）号	JP2005079525A
IPC 分类号	H01S5/02 \| H01S5/323 \| G11B7/125
专利代理人	野河信太郎
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61008
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SHARP CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	細羽弘之,光本高宏. 半導体レーザー素子、その製造方法及びそれを搭載した光ピックアップ装置. JP2005079525A[P]. 2005-03-24.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2005079525A.PDF（74KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文