Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体激光器件 | |
| 其他题名 | 半导体激光器件 |
| 细羽弘之 | |
| 2007-08-08 | |
| 专利权人 | 夏普株式会社 |
| 公开日期 | 2007-08-08 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器件，包括形成于第一导电类型的半导体衬底上的第一导电类型的缓冲层，第一导电类型的覆层、有源层和第二导电类型的覆层，其中所述第一导电类型的缓冲层中的带隙具有大于所述半导体衬底的带隙且小于所述第一导电类型的覆层的带隙的值，且所述第一导电类型的缓冲层中的杂质浓度高于所述第一导电类型的覆层中的杂质浓度。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器件，包括形成于第一导电类型的半导体衬底上的第一导电类型的缓冲层，第一导电类型的覆层、有源层和第二导电类型的覆层，其中所述第一导电类型的缓冲层中的带隙具有大于所述半导体衬底的带隙且小于所述第一导电类型的覆层的带隙的值，且所述第一导电类型的缓冲层中的杂质浓度高于所述第一导电类型的覆层中的杂质浓度。 |
| 申请日期 | 2007-01-29 |
| 专利号 | CN101013796A |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN200710007712.6 |
| 公开（公告）号 | CN101013796A |
| IPC 分类号 | H01S5/30 | H01S5/323 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 陶凤波 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91490 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 细羽弘之. 半导体激光器件. CN101013796A[P]. 2007-08-08. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101013796A.PDF（840KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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