窒化ガリウム系半導体レーザ素子およびその製造方法

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	窒化ガリウム系半導体レーザ素子およびその製造方法
其他题名	窒化ガリウム系半導体レーザ素子およびその製造方法
	近藤雅文; 細羽弘之; 兼岩進治; ▲吉▼田智彦; 大林健; 幡俊雄; 須山尚宏
	2000-01-21
专利权人	シャープ株式会社
公开日期	2000-03-27
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	(修正有) 【課題】 p型InGaAlN層において格子欠陥がなく、かつキャリア濃度およびp型層の層厚の制御が容易である窒化ガリウム系半導体レーザ素子とその製造方法を提供する。【解決手段】基板上に、第1導電型のクラッド層と、発光層と、第2導電型のクラッド層とが積層された窒化ガリウム系半導体レーザ素子であり、第2導電型のクラッド層をエッチングにより形成したリッジ構造を持つことを特徴とするものである。さらに、第2導電型のクラッド層は、p型In1-x(GayAl1-y)xN層(O1,Oy1)であり、窒素原子を含有するガスと、III族原子を含有するガスとを交互に成長面に供給して成長させた層であることを特徴とするものである。
其他摘要	要解决的问题：通过在基板上层叠第一导电型包层，发光层和第二导电型包层，消除p型层的晶格缺陷并高效地进行发光，以及通过蚀刻第二导电型包层。解决方案：在衬底1的表面上生长AlN缓冲层2，并且增加衬底的温度以生长n型In1-w（Gaz Al1-z）w N层3.然后，Ar激光器是施加到衬底1上，其中层叠缓冲层2和n型InGaAlN层3，并且生长p型In1-x（Gay Al1-y）×N层4，同时例如TMG和NH3气体正在交替供应。然后，通过干法蚀刻将p型InGaAlN层4部分地去除到达n型InGaAlN层3的内部的深度。在暴露的n型InGaAlN层3和残留的p型InGaAlN层4上分别蒸发n型Al电极5和p型Al电极6。在形成每个电极之后，形成具有脊结构的半导体发光二极管。
申请日期	1992-06-08
专利号	JP3025760B2
专利状态	失效
申请号	JP1998132483
公开（公告）号	JP3025760B2
IPC 分类号	H01L \| H01S \| H01S5/323 \| H01L33/12 \| H01L33/32 \| H01S5/00 \| H01L33/00
专利代理人	小池隆彌
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47380
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	シャープ株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	近藤雅文,細羽弘之,兼岩進治,等. 窒化ガリウム系半導体レーザ素子およびその製造方法. JP3025760B2[P]. 2000-01-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP3025760B2.PDF（31KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文