半導体レーザ素子の製造方法

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	半導体レーザ素子の製造方法
其他题名	半導体レーザ素子の製造方法
	兼岩進治; 幡俊雄; 細羽弘之; 須山尚宏; 近藤雅文; 大林健; ▲吉▼田智彦
	2001-06-08
专利权人	シャープ株式会社
公开日期	2001-08-13
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【目的】各レーザ光の波長差を任意にかつ容易に設定でき、簡単なプロセスで製作可能な多波長半導体レーザ素子を提供することにある。【構成】複数の独立ストライプを有する半導体レーザ素子において、量子井戸構造により構成されたレーザ発振用活性層14を有する場合は、前記活性層14の井戸幅を各々のストライプで変化させることによりレーザ発振波長を変化させる。又、少なくとも2種類のIII族又はII族の原子を含む混晶により構成されたレーザ発振用活性層を有する場合は、前記活性層の組成を、各々のストライプで変化させることによりレーザ発振波長を変化させる。前記活性層の成長方法として制御性及び再現性に欠ける液相成長法ではなく、分子線エピタキシャル成長法を用いる。
其他摘要	目的：通过一种方法，使多波长半导体激光元件能够容易地设置激光束之间的波长差异，其中激光元件具有量子阱宽度彼此不同的条状振荡区域。组成：在N型GaAs衬底10上形成宽度为W1和W2的脊11和12.然后，N型Ga0.6Al0.4As包层13，非掺杂GaAs量子阱有源层14，a通过分子束外延生长方法在衬底10上连续生长P型Ga0.6Al0.4As包层15和P型GaAs盖层16。此外，在盖层16上依次形成电流收缩绝缘膜17和P型欧姆电极19，然后在基板10的下侧形成N型欧姆电极18.最后，元件提供分离蚀刻槽20。通过这种设置，这种设计的多波长半导体激光元件可以任选地设置在激光束之间的波长。
申请日期	1992-03-19
专利号	JP3197050B2
专利状态	失效
申请号	JP1992064184
公开（公告）号	JP3197050B2
IPC 分类号	H01S5/22 \| H01S3/06 \| H01L \| H01L33/44 \| H01S3/23 \| H01S \| H01L33/08 \| H01L33/06 \| H01L33/14 \| H01L33/30 \| H01S5/40 \| H01S5/00 \| H01L33/28
专利代理人	山本秀策
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76595
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	シャープ株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	兼岩進治,幡俊雄,細羽弘之,等. 半導体レーザ素子の製造方法. JP3197050B2[P]. 2001-06-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP3197050B2.PDF（52KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文