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窒化ガリウム系化合物半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3946337B2, 申请日期: 2007-04-20, 公开日期: 2007-07-18
发明人:  小野村 正明;  波多腰 玄一;  布上 真也;  石川 正行
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半導体素子及び半導体素子の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3905935B2, 申请日期: 2007-01-19, 公开日期: 2007-04-18
发明人:  板谷 和彦;  山本 雅裕;  小野村 正明;  藤本 英俊;  波多腰 玄一;  菅原 秀人;  石川 正行;  ジョン·レニー;  斎藤 真司
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半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3517120B2, 申请日期: 2004-01-30, 公开日期: 2004-04-05
发明人:  波多腰 玄一;  藤本 英俊;  石川 正行
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化合物半导体发光器件 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1093988C, 申请日期: 2002-11-06, 公开日期: 2002-11-06
发明人:  石川正行;  新田康一
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半導体発光装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3222652B2, 申请日期: 2001-08-17, 公开日期: 2001-10-29
发明人:  西川 幸江;  石川 正行;  斎藤 真司
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半導体装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3207618B2, 申请日期: 2001-07-06, 公开日期: 2001-09-10
发明人:  石川 正行;  西川 幸江;  斎藤 真司
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3144821B2, 申请日期: 2001-01-05, 公开日期: 2001-03-12
发明人:  新田 康一;  石川 正行;  岡島 正季;  板谷 和彦;  波多腰 玄一
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3135250B2, 申请日期: 2000-12-01, 公开日期: 2001-02-13
发明人:  石川 正行;  新田 康一;  渡邊 実;  岡島 正季
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面発光型半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000196189A, 申请日期: 2000-07-14, 公开日期: 2000-07-14
发明人:  高岡 圭児;  石川 正行
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化合物半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999186650A, 申请日期: 1999-07-09, 公开日期: 1999-07-09
发明人:  板谷 和彦;  布上 真也;  石川 正行
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