OPT OpenIR

浏览/检索结果: 共23条,第1-10条 帮助

已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3699753B2, 申请日期: 2005-07-15, 公开日期: 2005-09-28
发明人:  石谷 善博;  皆川 重量;  田中 俊明;  濱田 博
Adobe PDF(56Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:58/0  |  提交时间:2020/01/13
化合物半導体の形成方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2982345B2, 申请日期: 1999-09-24, 公开日期: 1999-11-22
发明人:  皆川 重量;  山口 浩;  近藤 正彦;  柳沢 浩徳
Adobe PDF(13Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:89/0  |  提交时间:2019/12/26
窒化物系化合物半導体の成長方法およびその発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998335702A, 申请日期: 1998-12-18, 公开日期: 1998-12-18
发明人:  内田 憲治;  丹羽 敦子;  後藤 順;  河田 雅彦;  皆川 重量
Adobe PDF(34Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:67/0  |  提交时间:2020/01/18
光情報処理装置およびこれに適した固体光源および半導体発光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998270804A, 申请日期: 1998-10-09, 公开日期: 1998-10-09
发明人:  後藤 順;  近藤 正彦;  皆川 重量;  河田 雅彦;  赤松 正一
Adobe PDF(86Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:45/0  |  提交时间:2020/01/18
結晶成長方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2828979B2, 申请日期: 1998-09-18, 公开日期: 1998-11-25
发明人:  近藤 正彦;  皆川 重量;  梶村 俊
Adobe PDF(37Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:80/0  |  提交时间:2020/01/13
窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998242520A, 申请日期: 1998-09-11, 公开日期: 1998-09-11
发明人:  後藤 順;  皆川 重量;  河田 雅彦;  赤松 正一
Adobe PDF(46Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:75/0  |  提交时间:2019/12/31
半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998242585A, 申请日期: 1998-09-11, 公开日期: 1998-09-11
发明人:  後藤 順;  皆川 重量;  河田 雅彦;  赤松 正一
Adobe PDF(42Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:52/0  |  提交时间:2020/01/13
窒化ガリウム系化合物半導体の気相エッチング方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998107006A, 申请日期: 1998-04-24, 公开日期: 1998-04-24
发明人:  後藤 順;  赤松 正一;  河田 雅彦;  皆川 重量
Adobe PDF(43Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:51/0  |  提交时间:2019/12/30
半導体レーザ素子及び半導体レーザアレイ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2723944B2, 申请日期: 1997-11-28, 公开日期: 1998-03-09
发明人:  田中 俊明;  皆川 重量;  梶村 俊
Adobe PDF(54Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:65/0  |  提交时间:2019/12/26
窒化物系化合物半導体光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997232681A, 申请日期: 1997-09-05, 公开日期: 1997-09-05
发明人:  内田 憲治;  渡辺 明禎;  田中 俊明;  皆川 重量
Adobe PDF(32Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:58/0  |  提交时间:2020/01/18