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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3699753B2, 申请日期: 2005-07-15, 公开日期: 2005-09-28
发明人:  石谷 善博;  皆川 重量;  田中 俊明;  濱田 博
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化合物半導体の形成方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2982345B2, 申请日期: 1999-09-24, 公开日期: 1999-11-22
发明人:  皆川 重量;  山口 浩;  近藤 正彦;  柳沢 浩徳
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窒化物系化合物半導体の成長方法およびその発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998335702A, 申请日期: 1998-12-18, 公开日期: 1998-12-18
发明人:  内田 憲治;  丹羽 敦子;  後藤 順;  河田 雅彦;  皆川 重量
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光情報処理装置およびこれに適した固体光源および半導体発光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998270804A, 申请日期: 1998-10-09, 公开日期: 1998-10-09
发明人:  後藤 順;  近藤 正彦;  皆川 重量;  河田 雅彦;  赤松 正一
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結晶成長方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2828979B2, 申请日期: 1998-09-18, 公开日期: 1998-11-25
发明人:  近藤 正彦;  皆川 重量;  梶村 俊
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窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998242520A, 申请日期: 1998-09-11, 公开日期: 1998-09-11
发明人:  後藤 順;  皆川 重量;  河田 雅彦;  赤松 正一
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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998242585A, 申请日期: 1998-09-11, 公开日期: 1998-09-11
发明人:  後藤 順;  皆川 重量;  河田 雅彦;  赤松 正一
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窒化ガリウム系化合物半導体の気相エッチング方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998107006A, 申请日期: 1998-04-24, 公开日期: 1998-04-24
发明人:  後藤 順;  赤松 正一;  河田 雅彦;  皆川 重量
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半導体レーザ素子及び半導体レーザアレイ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2723944B2, 申请日期: 1997-11-28, 公开日期: 1998-03-09
发明人:  田中 俊明;  皆川 重量;  梶村 俊
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窒化物系化合物半導体光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997232681A, 申请日期: 1997-09-05, 公开日期: 1997-09-05
发明人:  内田 憲治;  渡辺 明禎;  田中 俊明;  皆川 重量
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