窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法

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	窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法
其他题名	窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法
	後藤順; 皆川重量; 河田雅彦; 赤松正一
	1998-09-11
专利权人	HITACHI LTD
公开日期	1998-09-11
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】バンドギャップが大きく且つp型キャリア濃度が1×1018cm-3以下に制限される窒化ガリウム系半導体において良好なオーミック接触を得る電極構造を提供すること。【解決手段】 p型窒化ガリウム系化合物半導体層にMgを含まず且つ密着性·反応性の高い元素(Ni、Ti等)からなる第1層とMgを含む第2層とをこの順に積層して電極構造を形成し、その後、アニーリング処理を行う。これにより、当該半導体中へ第2層からp型ドーパント金属たるMgを拡散させる。第1層をNi又はTiで形成すると、この拡散は速やかに進行する。【効果】上記電極構造を半導体素子のp側電極に採用することで、接触抵抗の低減が図られ、素子の動作電圧も低減した。
其他摘要	要解决的问题：通过构成由含有Ni和Mg的合金或其中层压有Ni和Mg的多层膜的电极结构，在电极结构和p型层之间获得优异的欧姆结。另一种作为氮化镓化合物半导体元件的电极材料的一部分。解决方案：提供蓝宝石衬底1，非晶GaN缓冲层2和p型Mg掺杂GaN层3。通过使用金属有机气相外延生长装置在基板晶体1上连续生长层2和3。例如，使用三甲基镓（TMGa）和环戊二烯基镁（Cp2Mg）作为原料。通过加热器气相沉积法气相沉积Ni和Mg，并通过电子束气相沉积法气相沉积Ti和Pt。最后，Au通过剥离方法气相沉积。在气相沉积Au之后，通过剥离方法形成At / Pt / Ti / Mg / Ni电极4。
主权项	-
申请日期	1997-02-28
专利号	JP1998242520A
专利状态	失效
申请号	JP1997045231
公开（公告）号	JP1998242520A
IPC 分类号	H01L \| H01L33/40 \| H01S \| H01S5/323 \| H01L33/12 \| H01L33/32 \| H01S5/00 \| H01L33/00 \| H01S3/18
专利代理人	小川勝男
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64074
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	HITACHI LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	後藤順,皆川重量,河田雅彦,等. 窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法. JP1998242520A[P]. 1998-09-11.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1998242520A.PDF（46KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文