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半導体発光素子
其他题名半導体発光素子
後藤 順; 皆川 重量; 河田 雅彦; 赤松 正一
1998-09-11
专利权人HITACHI LTD
公开日期1998-09-11
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【課題】 窒化ガリウム系半導体発光素子において、多層構造からなる発光層の結晶性を改善すること。 【解決手段】 発光層を成す多層構造の組み合わせとして、AlxGa1-xN-Ga1-yInyN(0xGa1-xN-GaN1-zAsz(0≦x≦1,0
其他摘要要解决的问题:通过形成构成发光层的多层结构的第一层和第二层,抑制由于各层中包含的构成元素的相互扩散导致的第一层和第二层的结界面中的偏析分别来自Alx Ga1-x和Ga1-y Iny P(0
申请日期1997-02-28
专利号JP1998242585A
专利状态失效
申请号JP1997045233
公开(公告)号JP1998242585A
IPC 分类号H01L33/12 | H01L33/32 | H01S5/00 | H01S3/18 | H01L33/00
专利代理人小川 勝男
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79011
专题半导体激光器专利数据库
作者单位HITACHI LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
後藤 順,皆川 重量,河田 雅彦,等. 半導体発光素子. JP1998242585A[P]. 1998-09-11.
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文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
JP1998242585A.PDF(42KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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