半導体レーザ装置

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	半導体レーザ装置
其他题名	半導体レーザ装置
	石谷善博; 皆川重量; 田中俊明; 濱田博
	2005-07-15
专利权人	日本オプネクスト株式会社
公开日期	2005-09-28
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	(修正有) 【課題】可視光レーザ素子の高温特性が向上し、従来より高温で使用可能な半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】活性層近傍のPクラッド側に、Al組成yが0.8〜0.95の(AlyGa1-y)0.5In0.5Pと同等のΓ点のエネルギー間隙を有し、圧縮歪が加えられたAlGaInP結晶Aからなる障壁層をクラッド層中にもち、量子井戸活性層を構成する障壁層が0.4〜0.55のyをもつ(AlyGa1-y)0.5In0.5Pと同等のΓ点のエネルギー間隙で、圧縮歪が加えられたAlGaInP結晶により構成される。さらに活性層近傍に上記結晶A単層、または結晶Aとクラッド層に用いられる(AlyGa1-y)0.5In0.5P結晶Bから構成されるA/Bの周期構造からなる障壁層を設け、その外側のクラッド層のうちP型のもののyが0.6未満であり、基板にほぼ格子整合する(AlyGa1-y)0.5In0.5Pとなっている。
其他摘要	要解决的问题：提供一种半导体激光器件，其中可见激光元件的高温特性得到增强，并且可以在高于传统情况的温度下使用。解决方案：一个阻挡层，其点和Gamma的能隙等于（Aly Ga1-y）0.5 In0.5 P，其中Al的（y）为0.8到0.95，并且由AlGaInP晶体A组成。在有源层附近的P-包层侧的包层内设置压缩应变。构成量子阱有源层的阻挡层由施加了压缩应变的AlGaInP晶体构成，以便在点＆Gamma处的能隙等于（Aly Ga1-y）0.5 In0.6的能隙。 P的组成（y）为0.4至0.55。另外，由A / B的周期结构构成的阻挡层由晶体A或晶体A的单层和用于包层的（Aly Ga1-y）0.5 In0.5 P晶体B构成安装在活动层附近。（y）对于包层外侧的p型包层，其外侧小于0.6，（Aly Ga1-y）0.5 In0.5 P几乎与基板晶格匹配。
申请日期	1995-08-24
专利号	JP3699753B2
专利状态	失效
申请号	JP1995215675
公开（公告）号	JP3699753B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/343 \| H01S5/00
专利代理人	小川勝男
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77449
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本オプネクスト株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	石谷善博,皆川重量,田中俊明,等. 半導体レーザ装置. JP3699753B2[P]. 2005-07-15.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP3699753B2.PDF（56KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文