光情報処理装置およびこれに適した固体光源および半導体発光装置

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	光情報処理装置およびこれに適した固体光源および半導体発光装置
其他题名	光情報処理装置およびこれに適した固体光源および半導体発光装置
	後藤順; 近藤正彦; 皆川重量; 河田雅彦; 赤松正一
	1998-10-09
专利权人	HITACHI LTD
公开日期	1998-10-09
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】本発明は装置への損傷の少ない光源を持つ光情報処理装置、又、新規な固体光源を提供する。青色や緑色の発光ダイオードでの方法に代わる製造の容易な窒化ガリウム系半導体発光装置を提供する。【解決手段】可視域の半導体発光装置を使用した光情報処理装置および光源。更に、窒化ガリウム系化合物半導体発光装置の活性層にAs、P,およびSbの群から選ばれた少なくとも一者を少量混入させ可視発光を可能とする。【効果】本発明の光情報処理装置は簡便である。又、損傷が少ない。白色の新規な固体光源が容易に提供出来る。本発明の半導体発光装置は、窒化ガリウム系化合物半導体を用いて可視光領域全域に対応が可能である。又、製造が容易である。
其他摘要	要解决的问题：提供一种紧凑的光学信息处理器，其通过提供使用氮化镓化合物半导体作为基础材料形成的光源，并且不消耗太多电力并且重量轻且使用寿命长。具有在可见光区域中从蓝光到绿光的发光波长作为用于将光投射到记录介质上的光源。解决方案：在其有源层区域中使用GaNA的半导体激光器件中，非晶GaN缓冲层11，n型Si掺杂GaN缓冲层12，n型Si掺杂Al0.1Ga0.9N包层13，n型Si掺杂GaN导光层14，未掺杂Ga0.94As0.06 -GaN应变金属陶瓷阱有源层15，p型Mg掺杂GaN光导层16，p型Mg通过气相生长在a面蓝宝石衬底10上依次形成掺杂的Al0.1Ga0.9N包层17和p型Mg掺杂的GaN覆盖层18。当将规定量的As添加到有源层15时，获得了优异的绿色激光振荡。当As组分为0.03时，获得蓝色激光振荡，当0.08时，获得红色激光振荡。
申请日期	1997-03-26
专利号	JP1998270804A
专利状态	失效
申请号	JP1997072886
公开（公告）号	JP1998270804A
IPC 分类号	H01L33/12 \| H01L33/06 \| H01L33/32 \| H01S5/00 \| H01S3/18 \| H01L33/00
专利代理人	高橋明夫
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87082
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	HITACHI LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	後藤順,近藤正彦,皆川重量,等. 光情報処理装置およびこれに適した固体光源および半導体発光装置. JP1998270804A[P]. 1998-10-09.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1998270804A.PDF（86KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文