窒化ガリウム系化合物半導体の気相エッチング方法

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	窒化ガリウム系化合物半導体の気相エッチング方法
其他题名	窒化ガリウム系化合物半導体の気相エッチング方法
	後藤順; 赤松正一; 河田雅彦; 皆川重量
	1998-04-24
专利权人	HITACHI LTD
公开日期	1998-04-24
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】窒化ガリウム系化合物半導体を用いた半導体レーザを作製する場合、共振器を作製する行うエッチングには従来、プラズマを用いたドライエッチングが用いられて来たが、この方法ではエッチング表面の荒れが問題となっており、レーザの特性に悪影響を及ぼしていた。【解決手段】本発明では、窒化ガリウム系化合物半導体を水素と炭化水素ガスの混合ガス中で加熱する事によりエッチングを行う事を特徴とする新しいドライエッチング法を与える。【効果】本発明では化学的な反応を用いてエッチングを行う為、平滑で損傷の無いエッチング表面が得られ、レーザの特性を飛躍的に向上させた。
其他摘要	要解决的问题：为了使用氮化镓化合物半导体制造半导体激光器，使用等离子体的干法蚀刻通常用于制造谐振器的蚀刻。是一个问题，它会对激光器的特性产生不利影响。解决方案：本发明提供一种新的干蚀刻方法，其特征在于，通过在氢气和烃类气体的混合气体中加热氮化镓化合物半导体来进行蚀刻。在本发明中，由于使用化学反应进行蚀刻，因此获得了光滑且无损伤的蚀刻表面，并且激光器的特性得到显着改善。
主权项	-
申请日期	1996-10-02
专利号	JP1998107006A
专利状态	失效
申请号	JP1996261598
公开（公告）号	JP1998107006A
IPC 分类号	B62D25/00 \| H01S5/323 \| H01L21/306 \| B62D5/07 \| H01L33/32 \| B60R19/04 \| H01S5/00 \| H01L21/302 \| H01L33/00 \| H01S3/18
专利代理人	小川勝男
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51052
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	HITACHI LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	後藤順,赤松正一,河田雅彦,等. 窒化ガリウム系化合物半導体の気相エッチング方法. JP1998107006A[P]. 1998-04-24.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1998107006A.PDF（43KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文