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硅基横向注入激光器及其制备方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106229813B, 申请日期: 2019-02-15, 公开日期: 2019-02-15
发明人:  刘智;  成步文;  李传波;  薛春来;  王启明
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硅基锗激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103427332A, 申请日期: 2013-12-04, 公开日期: 2013-12-04
发明人:  刘智;  成步文;  李传波;  李亚明;  薛春来;  左玉华;  王启明
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一种氮化物发光器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101540364A, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 2009-09-23
发明人:  张江勇;  张保平;  王启明;  蔡丽娥;  余金中
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一种SiGe弛豫衬底材料及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101207093A, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2008-06-25
发明人:  赵雷;  左玉华;  王启明
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制备硅基带边发光以及非线性电光材料的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101170059A, 申请日期: 2008-04-30, 公开日期: 2008-04-30
发明人:  张建国;  王晓欣;  丁武昌;  成步文;  余金中;  王启明
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高效硅基共振腔增强型探测器器件的制作方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1279611C, 申请日期: 2006-10-11, 公开日期: 2006-10-11
发明人:  李传波;  毛容伟;  左玉华;  成步文;  余金中;  王启明
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在Si基片上生长高密度超小型Ge量子点的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1747128A, 申请日期: 2006-03-15, 公开日期: 2006-03-15
发明人:  时文华;  李传波;  王容伟;  罗丽萍;  王启明
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掩埋有高反射率布拉格反射镜的基片键合方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1674374A, 申请日期: 2005-09-28, 公开日期: 2005-09-28
发明人:  毛容伟;  滕学公;  王启明
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高效大功率大光腔半导体激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1110877C, 申请日期: 2003-06-04, 公开日期: 2003-06-04
发明人:  沈光地;  殷涛;  廉鹏;  陈建新;  邹德恕;  高国;  陈良惠;  王启明;  杜金玉;  韩金茹;  陈昌华
Adobe PDF(371Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：75/0  |  提交时间：2019/12/24