Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种SiGe弛豫衬底材料及其制备方法 | |
| 其他题名 | 一种SiGe弛豫衬底材料及其制备方法 |
| 赵雷; 左玉华; 王启明 | |
| 2008-06-25 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2008-06-25 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明涉及半导体材料技术领域，公开了一种SiGe弛豫衬底材料，该SiGe弛豫衬底材料由Si衬底和在Si衬底上外延生长的SiGe组分渐变缓冲层构成，且在所述SiGe组分渐变缓冲层中插入有n个无应变SiGe隔离层，所述无应变SiGe隔离层将SiGe组分渐变缓冲层分成n+1层，n为自然数。本发明同时公开了一种SiGe弛豫衬底材料的制备方法。利用本发明，有效减小SiGe弛豫衬底的表面粗糙度和位错密度，从而减小整个弛豫衬底的厚度，缩短外延时间，节省成本。 |
| 其他摘要 | 本发明涉及半导体材料技术领域，公开了一种SiGe弛豫衬底材料，该SiGe弛豫衬底材料由Si衬底和在Si衬底上外延生长的SiGe组分渐变缓冲层构成，且在所述SiGe组分渐变缓冲层中插入有n个无应变SiGe隔离层，所述无应变SiGe隔离层将SiGe组分渐变缓冲层分成n+1层，n为自然数。本发明同时公开了一种SiGe弛豫衬底材料的制备方法。利用本发明，有效减小SiGe弛豫衬底的表面粗糙度和位错密度，从而减小整个弛豫衬底的厚度，缩短外延时间，节省成本。 |
| 申请日期 | 2006-12-21 |
| 专利号 | CN101207093A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200610165559 |
| 公开（公告）号 | CN101207093A |
| IPC 分类号 | H01L23/00 | H01L29/12 | H01L21/20 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 周国城 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90794 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵雷,左玉华,王启明. 一种SiGe弛豫衬底材料及其制备方法. CN101207093A[P]. 2008-06-25. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101207093A.PDF（765KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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