Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 高效硅基共振腔增强型探测器器件的制作方法 | |
| 其他题名 | 高效硅基共振腔增强型探测器器件的制作方法 |
| 李传波; 毛容伟; 左玉华; 成步文; 余金中; 王启明 | |
| 2006-10-11 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2006-10-11 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明一种高效硅基共振腔增强型探测器器件的制作方法，包括如下工艺步骤：a)在SOI材料上顺序生长有源层和欧姆接触层；b)将生长有有源层的SOI硅片的背面进行减薄抛光；c)双面生长掩膜层，并进行背面光刻腐蚀至埋层二氧化硅层；d)然后在外延层上光刻腐蚀形成有有源层和欧姆接触层的台面，并制作上下电极；以及e)最后生长上下布拉格反射镜，形成共振腔探测器。 |
| 其他摘要 | 本发明一种高效硅基共振腔增强型探测器器件的制作方法，包括如下工艺步骤：a)在SOI材料上顺序生长有源层和欧姆接触层；b)将生长有有源层的SOI硅片的背面进行减薄抛光；c)双面生长掩膜层，并进行背面光刻腐蚀至埋层二氧化硅层；d)然后在外延层上光刻腐蚀形成有有源层和欧姆接触层的台面，并制作上下电极；以及e)最后生长上下布拉格反射镜，形成共振腔探测器。 |
| 申请日期 | 2004-02-04 |
| 专利号 | CN1279611C |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200410004027.4 |
| 公开（公告）号 | CN1279611C |
| IPC 分类号 | H01L21/84 | H01L31/18 | H01L31/105 | H01L33/00 | H01S5/183 | H01S5/30 |
| 专利代理人 | 汤保平 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48207 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李传波,毛容伟,左玉华,等. 高效硅基共振腔增强型探测器器件的制作方法. CN1279611C[P]. 2006-10-11. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1279611C.PDF（327KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [李传波]的文章 |
| [毛容伟]的文章 |
| [左玉华]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [李传波]的文章 |
| [毛容伟]的文章 |
| [左玉华]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [李传波]的文章 |
| [毛容伟]的文章 |
| [左玉华]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论