硅基横向注入激光器及其制备方法

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	硅基横向注入激光器及其制备方法
其他题名	硅基横向注入激光器及其制备方法
	刘智; 成步文; 李传波; 薛春来; 王启明
	2019-02-15
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2019-02-15
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	一种硅基横向注入激光器及其制备方法，该硅基横向注入激光器，包括：一硅衬底，该硅衬底上面的中间制作有波导沟槽，该硅衬底上面波导沟槽的两侧形成有p型掺杂区和n型掺杂区；一二氧化硅窗口层，其制作在硅衬底的部分表面，该二氧化硅窗口层对应所述p型掺杂区和n型掺杂区的上面分别开有侧窗口；一条形波导，生长在硅衬底的波导沟槽中；一绝缘介质层，其制作在条形波导的表面，以及覆盖二氧化硅窗口层的表面；一p电极，其制作在p型掺杂区上的二氧化硅窗口层的一侧窗口内；一n电极，其制作在n型掺杂区上的二氧化硅窗口层的另一侧窗口内。本发明可以提高其与硅CMOS工艺的兼容性。
其他摘要	一种硅基横向注入激光器及其制备方法，该硅基横向注入激光器，包括：一硅衬底，该硅衬底上面的中间制作有波导沟槽，该硅衬底上面波导沟槽的两侧形成有p型掺杂区和n型掺杂区；一二氧化硅窗口层，其制作在硅衬底的部分表面，该二氧化硅窗口层对应所述p型掺杂区和n型掺杂区的上面分别开有侧窗口；一条形波导，生长在硅衬底的波导沟槽中；一绝缘介质层，其制作在条形波导的表面，以及覆盖二氧化硅窗口层的表面；一p电极，其制作在p型掺杂区上的二氧化硅窗口层的一侧窗口内；一n电极，其制作在n型掺杂区上的二氧化硅窗口层的另一侧窗口内。本发明可以提高其与硅CMOS工艺的兼容性。
申请日期	2016-09-21
专利号	CN106229813B
专利状态	授权
申请号	CN201610836550
公开（公告）号	CN106229813B
IPC 分类号	H01S5/223
专利代理人	汤保平
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49356
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘智,成步文,李传波,等. 硅基横向注入激光器及其制备方法. CN106229813B[P]. 2019-02-15.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN106229813B.PDF（482KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文