一种氮化物发光器件及其制备方法

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	一种氮化物发光器件及其制备方法
其他题名	一种氮化物发光器件及其制备方法
	张江勇; 张保平; 王启明; 蔡丽娥; 余金中
	2009-09-23
专利权人	厦门大学
公开日期	2009-09-23
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种氮化物发光器件及其制备方法，涉及一种半导体发光器件。提供一种非对称耦合多量子阱结构为有源区的氮化物发光器件及其制备方法。至少包括n－型电子注入层、p－型空穴注入层和多量子阱有源层，多量子阱有源层夹在n－型电子注入层和p－型空穴注入层之间。有源层由非对称耦合量子阱结构组成。量子阱的垒层较薄，易实现载流子隧穿，且量子阱中基态能级间的跃迁能量逐渐变化，跃迁能量大的量子阱接近p型注入层，跃迁能量小的量子阱接近n型注入层。用此有源区结构可增强空穴在量子阱有源区中的隧穿输运，同时阻挡电子在量子阱有源区中的隧穿输运，改善氮化物发光器件有源区中载流子分布不均现象，减小电子泄露和能带填充效应，实现高效发光。
其他摘要	一种氮化物发光器件及其制备方法，涉及一种半导体发光器件。提供一种非对称耦合多量子阱结构为有源区的氮化物发光器件及其制备方法。至少包括n－型电子注入层、p－型空穴注入层和多量子阱有源层，多量子阱有源层夹在n－型电子注入层和p－型空穴注入层之间。有源层由非对称耦合量子阱结构组成。量子阱的垒层较薄，易实现载流子隧穿，且量子阱中基态能级间的跃迁能量逐渐变化，跃迁能量大的量子阱接近p型注入层，跃迁能量小的量子阱接近n型注入层。用此有源区结构可增强空穴在量子阱有源区中的隧穿输运，同时阻挡电子在量子阱有源区中的隧穿输运，改善氮化物发光器件有源区中载流子分布不均现象，减小电子泄露和能带填充效应，实现高效发光。
申请日期	2009-04-23
专利号	CN101540364A
专利状态	失效
申请号	CN200910111571
公开（公告）号	CN101540364A
IPC 分类号	H01L33/00 \| H01S5/34
专利代理人	马应森
代理机构	厦门南强之路专利事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90008
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	厦门大学
推荐引用方式 GB/T 7714	张江勇,张保平,王启明,等. 一种氮化物发光器件及其制备方法. CN101540364A[P]. 2009-09-23.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101540364A.PDF（444KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文