硅基锗激光器及其制备方法

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	硅基锗激光器及其制备方法
其他题名	硅基锗激光器及其制备方法
	刘智; 成步文; 李传波; 李亚明; 薛春来; 左玉华; 王启明
	2013-12-04
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2013-12-04
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供了一种硅基锗激光器及其制备方法。该硅基锗激光器包括：硅材料，具有相应的晶向；锗层，外延生长于硅材料上，包括：锗脊形波导，由刻蚀锗层形成，构成全部或部分的激光谐振腔；p型掺杂区和n型掺杂区，位于锗脊形波导的两侧；p型掺杂区、锗脊形波导和n型掺杂区形成横向p-i-n二极管结构；绝缘介质层，形成于锗脊形波导、p型掺杂区和n型掺杂区的上方；以及p电极和n电极，形成于绝缘介质层的上方，分别与p型掺杂区和n型掺杂区电性连接。本发明采用水平横向p-i-n锗脊形波导结构，硅衬底不需要掺杂，在硅衬底上外延生长的锗层可以有很好的晶体质量，从而有利于硅基锗激光器整体性能的提升。
其他摘要	本发明提供了一种硅基锗激光器及其制备方法。该硅基锗激光器包括：硅材料，具有相应的晶向；锗层，外延生长于硅材料上，包括：锗脊形波导，由刻蚀锗层形成，构成全部或部分的激光谐振腔；p型掺杂区和n型掺杂区，位于锗脊形波导的两侧；p型掺杂区、锗脊形波导和n型掺杂区形成横向p-i-n二极管结构；绝缘介质层，形成于锗脊形波导、p型掺杂区和n型掺杂区的上方；以及p电极和n电极，形成于绝缘介质层的上方，分别与p型掺杂区和n型掺杂区电性连接。本发明采用水平横向p-i-n锗脊形波导结构，硅衬底不需要掺杂，在硅衬底上外延生长的锗层可以有很好的晶体质量，从而有利于硅基锗激光器整体性能的提升。
申请日期	2013-08-08
专利号	CN103427332A
专利状态	失效
申请号	CN201310342715.0
公开（公告）号	CN103427332A
IPC 分类号	H01S5/22
专利代理人	曹玲柱
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90481
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘智,成步文,李传波,等. 硅基锗激光器及其制备方法. CN103427332A[P]. 2013-12-04.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103427332A.PDF（1504KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文