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一种提高n型GaSb基半导体激光器材料掺杂浓度的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN108183391B, 申请日期: 2019-09-27, 公开日期: 2019-09-27
发明人:  魏志鹏;  贾慧民;  唐吉龙;  牛守柱;  王登魁;  王新伟;  冯源;  王晓华;  马晓辉
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一种发光效率增强的半导体激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106410605B, 申请日期: 2019-09-27, 公开日期: 2019-09-27
发明人:  魏志鹏;  方铉;  牛守柱;  唐吉龙;  王登魁;  房丹;  王海珠;  李金华;  楚学影;  马晓辉;  王晓华
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一种窄线宽半导体激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108054634A, 申请日期: 2018-05-18, 公开日期: 2018-05-18
发明人:  魏志鹏;  唐吉龙;  贾慧民;  方铉;  房丹;  牛守柱;  朱笑天;  李洋;  王晓华
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Ga In比例渐变的W型锑基半导体激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN104638517B, 申请日期: 2017-07-04, 公开日期: 2017-07-04
发明人:  唐吉龙;  魏志鹏;  方铉;  房丹;  高娴;  牛守柱;  王菲;  马晓辉;  王晓华
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Ga In比例渐变的W型锑基半导体激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN104638517B, 申请日期: 2017-07-04, 公开日期: 2017-07-04
发明人:  唐吉龙;  魏志鹏;  方铉;  房丹;  高娴;  牛守柱;  王菲;  马晓辉;  王晓华
Adobe PDF(87Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：154/0  |  提交时间：2019/12/26