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半导体激光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101558535A, 申请日期: 2009-10-14, 公开日期: 2009-10-14
发明人:  川口真生;  油利正昭
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发光装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100472818C, 申请日期: 2009-03-25, 公开日期: 2009-03-25
发明人:  油利正昭;  上田大助
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半导体发光元件，其制造方法及安装方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100431179C, 申请日期: 2008-11-05, 公开日期: 2008-11-05
发明人:  上田哲三;  油利正昭
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氮化镓晶体的制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1255583C, 申请日期: 2006-05-10, 公开日期: 2006-05-10
发明人:  油利正昭;  上田哲三;  马场孝明
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半導体素子及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3792041B2, 申请日期: 2006-04-14, 公开日期: 2006-06-28
发明人:  橋本 忠朗;  油利 正昭;  今藤 修;  石田 昌宏
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半導体レーザ装置、第2高調波発生装置及び光ピックアップ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2004165383A, 申请日期: 2004-06-10, 公开日期: 2004-06-10
发明人:  高山 徹;  油利 正昭;  折田 賢児
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波長変換型レーザ装置およびその制御方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2003005237A, 申请日期: 2003-01-08, 公开日期: 2003-01-08
发明人:  油利 正昭
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半導体レーザ装置、及び光ピックアップ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2002289965A, 申请日期: 2002-10-04, 公开日期: 2002-10-04
发明人:  高山 徹;  折田 賢児;  油利 正昭
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光ピックアップ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2002197707A, 申请日期: 2002-07-12, 公开日期: 2002-07-12
发明人:  小野澤 和利;  井島 新一;  今藤 修;  油利 正昭
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半導体レーザ発光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2001284706A, 申请日期: 2001-10-12, 公开日期: 2001-10-12
发明人:  油利 正昭;  玉井 誠一郎;  伊藤 国雄;  数村 勝
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