Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ装置、及び光ピックアップ装置 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置、及び光ピックアップ装置 |
| 高山 徹; 折田 賢児; 油利 正昭 | |
| 2002-10-04 | |
| 专利权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 公开日期 | 2002-10-04 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 高出力DBRレーザの精密な光分布制御を実現する。 【解決手段】 n型GaAs基板1の上にn型GaAsバッファ層2、n型Ga0.5Al0.5As第一クラッド層3、Ga0.7Al0.3As障壁層とGaAs井戸層との多重量子井戸である活性層4、p型Ga0.5Al0.5As第二クラッド層5、p型Ga0.7Al0.3As第一光ガイド層6、第一光ガイド層上に、一部不連続となる窓領域7aを有し、導波光に対して分布ブラッグ反射作用を有するp型Ga0.8Al0.2As回折格子層7、窓領域7aと回折格子層7上にp型Ga0.5Al0.5As第二光ガイド層8、p型Ga0.8Al0.2As第三クラッド層9が設置されている。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：实现高功率DBR激光器的精确配光控制。 n型GaAs缓冲层2，n型Ga 0.5 Al 0.5 作为第一包层3，Ga 有源层4是0.7 Al 0.3 的多量子阱作为势垒层和GaAs阱层，p型Ga 0.5 Al 0.5 作为第二包层5，p型Ga 0.7 0.3 作为第一导光层6，部分不连续p型Ga 0.8 Al 0.2 作为衍射光栅层7，具有窗口区域7a，该窗口区域7a相对于被引导的光具有分布式布拉格反射功能并且具有窗口区域7a的衍射P型Ga 0.5 Al 0.5 作为第二光导层8，p型Ga 0.8 Al 0.2 提供第三包层9。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 2001-03-23 |
| 专利号 | JP2002289965A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2001084805 |
| 公开（公告）号 | JP2002289965A |
| IPC 分类号 | G02F1/377 | H01S5/0625 | H01S5/10 | H01S5/12 | H01S5/125 | G11B7/125 | H01S5/223 |
| 专利代理人 | 岩橋 文雄 (外2名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60621 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高山 徹,折田 賢児,油利 正昭. 半導体レーザ装置、及び光ピックアップ装置. JP2002289965A[P]. 2002-10-04. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2002289965A.PDF（168KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [高山 徹]的文章 |
| [折田 賢児]的文章 |
| [油利 正昭]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [高山 徹]的文章 |
| [折田 賢児]的文章 |
| [油利 正昭]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [高山 徹]的文章 |
| [折田 賢児]的文章 |
| [油利 正昭]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论