Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ装置、第2高調波発生装置及び光ピックアップ装置 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置、第2高調波発生装置及び光ピックアップ装置 |
| 高山 徹; 油利 正昭; 折田 賢児 | |
| 2004-06-10 | |
| 专利权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 公开日期 | 2004-06-10 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】活性層の出射端面における回折格子層側の部分が溶融破壊されるのを抑制し得る半導体レーザ装置、これを用いた第2高調波発生装置及び光ピックアップ装置を提供することにある。 【解決手段】活性層4と、活性層4の上層に位置する回折格子層8とを有する半導体レーザ装置を用いる。回折格子層8は、活性層4の主面よりも狭い範囲内に形成する。活性層4は、回折格子層8の直下となるDBR領域及び位相制御領域におけるバンドギャップが、利得領域におけるバンドギャップよりも大きくなるように形成する。 【選択図】図2 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供一种能够抑制衍射光栅层一侧的有源层的发光端面的一部分熔化和破坏的半导体激光器件，以及二次谐波发生器和采用该二次谐波发生器的光学拾取装置。相同。ŽSOLUTION：使用半导体激光器件，其包括有源层4和位于有源层4上方作为其上层的衍射光栅层8。衍射光栅层8形成在比有源层4的主面窄的范围内。有源层4以DBR区域中的带隙和相当于下面的区域的相位控制区域的方式形成。衍射光栅层8大于增益区域中的带隙。Ž |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 2002-11-12 |
| 专利号 | JP2004165383A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2002328779 |
| 公开（公告）号 | JP2004165383A |
| IPC 分类号 | G02F1/377 | H01S5/042 | H01S5/125 | G11B7/125 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | 特許業務法人池内·佐藤アンドパートナーズ |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60894 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高山 徹,油利 正昭,折田 賢児. 半導体レーザ装置、第2高調波発生装置及び光ピックアップ装置. JP2004165383A[P]. 2004-06-10. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2004165383A.PDF（199KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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