半导体发光元件，其制造方法及安装方法

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	半导体发光元件，其制造方法及安装方法
其他题名	半导体发光元件，其制造方法及安装方法
	上田哲三; 油利正昭
	2008-11-05
专利权人	松下电器产业株式会社
公开日期	2008-11-05
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明公开了一种半导体发光元件、其制造方法及安装方法，目的在于：使由化合物半导体特别是GaN系半导体制成的半导体发光元件的散热性良好，增大它的静电耐压，提高它的发光效率，减少它的串联电阻。发光二极管元件(10)中有包含导电型各不相同的至少两层半导体层的元件构成体(11)，在该元件构成体(11)上形成有由ITO制成的透光性p侧电极(15)，在该p侧电极(15)上的一部分区域形成有焊接垫(16)。在元件构成体(11)的与p侧电极15相反一侧的那个面上形成有由Ti/Au制成的n侧电极(17)，还形成有以n侧电极(17)的Au层为底层、厚度约50μm、利用镀金法制成的金属膜(18)。
其他摘要	本发明公开了一种半导体发光元件、其制造方法及安装方法，目的在于：使由化合物半导体特别是GaN系半导体制成的半导体发光元件的散热性良好，增大它的静电耐压，提高它的发光效率，减少它的串联电阻。发光二极管元件(10)中有包含导电型各不相同的至少两层半导体层的元件构成体(11)，在该元件构成体(11)上形成有由ITO制成的透光性p侧电极(15)，在该p侧电极(15)上的一部分区域形成有焊接垫(16)。在元件构成体(11)的与p侧电极15相反一侧的那个面上形成有由Ti/Au制成的n侧电极(17)，还形成有以n侧电极(17)的Au层为底层、厚度约50μm、利用镀金法制成的金属膜(18)。
授权日期	2008-11-05
申请日期	2003-06-24
专利号	CN100431179C
专利状态	失效
申请号	CN03148730.0
公开（公告）号	CN100431179C
IPC 分类号	H01L33/00 \| H01S5/00 \| H01L33/14 \| H01L33/38 \| H01L33/40 \| H01L33/64
专利代理人	汪惠民
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39921
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下电器产业株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	上田哲三,油利正昭. 半导体发光元件，其制造方法及安装方法. CN100431179C[P]. 2008-11-05.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN100431179C.PDF（2342KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文