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半導体素子及び半導体素子の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3905935B2, 申请日期: 2007-01-19, 公开日期: 2007-04-18
发明人:  板谷 和彦;  山本 雅裕;  小野村 正明;  藤本 英俊;  波多腰 玄一;  菅原 秀人;  石川 正行;  ジョン·レニー;  斎藤 真司
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窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3655066B2, 申请日期: 2005-03-11, 公开日期: 2005-06-02
发明人:  小野村 正明;  波多腰 玄一;  板谷 和彦;  吉田 博昭;  鈴木 真理子
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発光ダイオード 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3373561B2, 申请日期: 2002-11-22, 公开日期: 2003-02-04
发明人:  菅原 秀人;  板谷 和彦
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半導体発光素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3242967B2, 申请日期: 2001-10-19, 公开日期: 2001-12-25
发明人:  板谷 和彦;  新田 康一;  波多腰 玄一;  西川 幸江;  菅原 秀人;  鈴木 真理子
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3237870B2, 申请日期: 2001-10-05, 公开日期: 2001-12-10
发明人:  板谷 和彦;  波多腰 玄一;  新田 康一
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3144821B2, 申请日期: 2001-01-05, 公开日期: 2001-03-12
发明人:  新田 康一;  石川 正行;  岡島 正季;  板谷 和彦;  波多腰 玄一
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窒化物系半導体レーザ装置およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000223779A, 申请日期: 2000-08-11, 公开日期: 2000-08-11
发明人:  板谷 和彦;  布上 真也;  波多腰 玄一
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化合物半導体レーザおよびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000183466A, 申请日期: 2000-06-30, 公开日期: 2000-06-30
发明人:  藤本 英俊;  板谷 和彦;  西尾 譲司
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2997573B2, 申请日期: 1999-10-29, 公开日期: 2000-01-11
发明人:  西川 幸江;  新田 康一;  岡島 正季;  渡邊 実;  板谷 和彦;  波多腰 玄一
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化合物半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999186650A, 申请日期: 1999-07-09, 公开日期: 1999-07-09
发明人:  板谷 和彦;  布上 真也;  石川 正行
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