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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3238974B2, 申请日期: 2001-10-05, 公开日期: 2001-12-17
发明人:  吉年 慶一;  茨木 晃;  林 伸彦;  古沢 浩太郎;  田尻 敦志;  石川 徹;  松川 健一;  三宅 輝明;  後藤 壮謙
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半導体レーザの製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3234310B2, 申请日期: 2001-09-21, 公开日期: 2001-12-04
发明人:  古沢 浩太郎;  茨木 晃;  林 伸彦;  松川 健一;  三宅 輝明;  後藤 壮謙
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半導体レーザの製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2966686B2, 申请日期: 1999-08-13, 公开日期: 1999-10-25
发明人:  松川 健一;  茨木 晃;  林 伸彦
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995326815A, 申请日期: 1995-12-12, 公开日期: 1995-12-12
发明人:  松川 健一;  後藤 荘謙;  茨木 晃;  林 伸彦
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自励発振型半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995022695A, 申请日期: 1995-01-24, 公开日期: 1995-01-24
发明人:  三宅 輝明;  茨木 晃;  林 伸彦;  田尻 敦志;  古沢 浩太郎;  松本 光晴;  松川 健一;  後藤 壮謙;  井手 大輔
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リッジ埋込み型半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994302907A, 申请日期: 1994-10-28, 公开日期: 1994-10-28
发明人:  林 伸彦;  松川 健一
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半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994164062A, 申请日期: 1994-06-10, 公开日期: 1994-06-10
发明人:  松川 健一;  林 伸彦
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半導体レーザ素子とその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1993075206A, 申请日期: 1993-03-26, 公开日期: 1993-03-26
发明人:  本多 正治;  松川 健一
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